功率元器件_技术搜索

步进电机　总结

到目前为止，我们已经介绍了步进电机的结构和步进电机的驱动方法。本文在表格中简要汇总了步进电机的特征及步进电机应用。步进电
2021-09-01 10:12:26
三相全波无刷电机的旋转原理

继上一篇文章的三相全波无刷电机外观和三相全波无刷电机结构之后，本文将介绍三相全波无刷电机的旋转原理。三相全波无刷电机的旋
2021-09-01 10:11:49
浪涌抑制电路

在上一篇文章中，简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始，将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的
2021-09-01 10:10:38
单开关电路驱动、半桥电路驱动

作为有刷电机驱动方法的最后一篇文章，本文将介绍通过有刷电机“单开关电路”和“半桥电路”进行驱动的方法。两种方法均适用直流
2021-06-01 14:41:04
BTL功放电路的有刷直流电机驱动： 线性电流驱动

继上一篇“使用BTL放大器电路驱动有刷直流电机：线性电压驱动”之后，本文将介绍使用了BTL放大器的有刷直流电机的线性电流驱动。
2021-06-01 14:40:38
BTL功放电路的有刷直流电机驱动： 线性电压驱动

前面已经介绍过一些使用H桥电路驱动有刷直流电机的方法示例，接下来介绍“使用BTL放大器电路驱动有刷直流电机的方法”。BTL（Bri
2021-06-01 14:40:35
什么是栅极－源极电压产生的浪涌？

MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。其中，SiC MOSFET在近年来的应用速度与日俱增，
2021-06-01 14:16:30
低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作

上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间
2021-06-01 14:16:19
低边开关导通时的Gate-Source间电压的动作

上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细
2021-06-01 14:16:14
所谓二极管－整流二极管的特征比较

本篇所例举的是用于高耐压、高电流的二极管，但按照其特性、特征、制造工艺可进行以下分类。此时，对二极管基本的应用条件而言，
2020-09-18 15:50:23
所谓二极管－分类与特性

首先，在这里介绍用作硅功率元器件的二极管种类，及堪称硅半导体之基本的二极管最基础内容。Si二极管的分类考虑Si二极管的分类时
2020-09-18 15:50:20
桥式电路的开关产生的电流和电压

在上一篇文章中，对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。本文将介绍在SiC MOSFET
2020-09-18 15:50:15
SiC MOSFET的栅极驱动电路和Turn-on/Turn-off动作

本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。SiC MOSFET
2020-09-18 15:50:12
SiC MOSFET的桥式结构

在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前
2020-09-18 15:50:09
何谓碳化硅

碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。一开始，我们先来了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)组
2020-09-18 15:49:01
前言

在Tech Web的“基础知识”里新添加了关于“功率元器件”的记述。近年来，使用“功率元器件”或“功率半导体”等说法，以大功率低
2020-09-18 15:48:59
SiC功率元器件的开发背景和优点

前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速
2020-09-18 15:45:22