科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术
科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术，高效赋能新型超宽带5G新型GaN-on-SiC 线性化解决方案赋能5G 基站，支持更多
2021-07-06 10:52:06
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科锐GaN-on-SiC功率放大器结合MaxLinear线性化技术，高效赋能新型超宽带5G新型GaN-on-SiC 线性化解决方案赋能5G 基站，支持更多
2021-07-06 10:52:06横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST；纽约证券交易所代码:STM) 于10月16日宣布
2021-06-01 14:15:58
HMC414MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为2.2至2.8 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供20 dB增益，饱和功率为+30 dBm（32% PAE时），电源…
2020-04-26 22:38:57
HMC413QS16G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为1.6至2.2 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装16引脚封装，带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供23 dB增益，饱和功率为+29.5 dBm（42% PAE时），…
2020-04-26 22:38:34
HMC327MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为3至4 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露基座以改善RF和热性能。 它采用极少的外部元件提供21 dB增益，饱和功率为+30 dBm（45% PAE时），电源电压为…
2020-04-26 22:36:53
HMC461LP3(E)是一款1.7 - 2.2 GHz高输出IP3 GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)双通道MMIC放大器。 它在单个集成电路中，提供两个HMC455LP3高IP3驱动器的线性性能，可在平衡或推挽放大器电路中配置。 该放大器提供12 dB的增益和+30.5 dBm的饱和功率（当PAE为48%时）…
2020-04-26 22:36:15
HMC455LP3(E)是一款高输出的IP3 GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1⁄2瓦特MMIC放大器，在1.7至2.5 GHz的频率下工作。 该放大器仅使用最小数量的外部元件，提供13 dB的增益，在PAE为56%时提供+28 dBm的饱和功率，使用单个+5 Vdc电压电源。 由于具有+42 dBm的高输…
2020-04-26 22:35:58
HMC408LP3(E)是一款5.1 - 5.9 GHz高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)功率放大器MMIC，提供+30 dBm P1dB。 该放大器提供20 dB增益，饱和功率为+32.5 dBm，电源电压为+5V (27% PAE)。 输入内部匹配至50 Ohms，输出需极少的外部元件。 Vpd可用于全省电模式或RF输…
2020-04-26 22:35:44
HMC464LP5(E)是一款GaAs MMIC PHEMT分布式功率放大器，采用5x5 mm无引脚表贴封装，在2 GHz到20 GHz的频率范围内工作。 该放大器提供14 dB增益、+30 dBm输出IP3和+26 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为290 mA（采用+8V电源）。 HMC464LP5(E)在2 - 18 GHz范围内的增…
2020-04-26 22:35:15
HMC464是一款GaAs MMIC PHEMT分布式功率放大器裸片，在2 GHz到20 GHz的频率范围内工作。 该放大器提供16 dB增益、+30 dBm输出IP3和+26 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为290 mA（采用+8V电源）。 HMC464在2 - 18 GHz范围内的增益平坦度非常出色，因而非常适合EW、…
2020-04-26 22:35:07
HMC454ST89(E)是一款高动态范围GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1⁄2瓦特MMIC放大器，在0.4至2.5 GHz的频率下工作。 该放大器采用低成本的行业标准SOT89封装，在0.8至1.0 GHz频率下的增益通常为17.8 dB，在1.8至2.2 GHz频率下的增益通常为12.5 dB。 它仅使用极小…
2020-04-26 22:33:08
HMC452QS16G(E)是一款高动态范围GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1瓦特MMIC功率放大器，在0.4至2.2 GHz的频率下工作。 该放大器采用微型16引脚QSOP塑料封装，其增益在0.4 GHz时通常为22.5 dB，在2.1 GHz时通常为9 dB。 它仅使用极小数量的外部元件和单个+5V电源…
2020-04-26 22:32:35
HMC487LP5(E)是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC 2瓦特功率放大器，采用无引脚5x5 mm表面贴装封装。 该放大器在9至12 GHz的频率下工作，提供20 dB的增益、+33 dBm的饱和功率和20%的PAE，电源电压为+7V。 输出IP3为+36 dBm（典型值）。 RF I/O为隔直端口，并匹配至50Ω…
2020-04-26 22:32:20
HMC409LP4(E)是一款高效率GaAs InGaP HBT MMIC功率放大器，工作频率范围为3.3至3.8 GHz。 该放大器采用低成本、无铅SMT封装。 它采用最少的外部元件，提供31 dB增益，饱和功率为+32.5 dBm，电源电压为+5V。 功率控制(Vpd)可用于全省电模式或RF输出功率/电流控制。 对…
2020-04-26 22:31:49
HMC459是一款GaAs MMIC PHEMT分布式功率放大器裸片，在DC到18 GHz的频率范围内工作。 该放大器提供17 dB增益、+31.5 dBm输出IP3和+25 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为290 mA（采用+8V电源）。 出色的增益平坦度使得HMC459非常适合EW、ECM和雷达驱动放大器应用。…
2020-04-26 22:31:37
HMC559是一款GaAs MMIC PHEMT分布式功率放大器裸片，在DC至20 GHz的频率下工作。 该放大器提供14 dB增益、+36 dBm输出IP3和+28 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为400 mA（采用+10V电源）。 在4至20 GHz范围内的良好增益平坦度使得HMC559非常适用于EW、ECM和雷达驱…
2020-04-26 22:31:33
HMC457QS16G(E)是一款高动态范围GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1瓦特MMIC功率放大器，在1.7至2.2 GHz的频率下工作。 该放大器采用微型16引脚QSOP塑料封装，其增益在1.7至2.0 GHz频率下通常为27 dB，在2.0至2.2 GHz频率下通常为25 dB。 它仅使用极小数量的外部…
2020-04-26 22:31:16
HMC453ST89(E)是一款高动态范围GaAs InGaP HBT、1.6瓦特MMIC功率放大器，工作频率范围为0.4至2.2 GHz，采用业界标准SOT89封装。 它仅使用极小数量的外部元件和单个+5V电源，其输出IP3可以优化为+47 dBm（0.4 GHz时）或+49 dBm（2.1 GHz时）。 高输出IP3和PAE使得HMC4…
2020-04-26 22:31:09
HMC453QS16G(E)是一款高动态范围GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1.6瓦特MMIC功率放大器，在0.4至2.2 GHz的频率下工作。 该放大器采用微型16引脚QSOP塑料封装，其增益在0.4 GHz时通常为21.5 dB，在2.1 GHz时通常为8 dB。 它仅使用极小数量的外部元件和单个+5V电…
2020-04-26 22:30:53
HMC452ST89(E)是一款高动态范围GaAs InGaP HBT、1瓦特MMIC功率放大器，工作频率范围为0.4至2.2 GHz，采用业界标准SOT89封装。 它仅使用极小数量的外部元件和单个+5V电源，其输出IP3可以优化为+45 dBm（0.4 GHz时）或+49 dBm（2.1 GHz时）。 高输出IP3和PAE使得HMC452…
2020-04-26 22:30:47周一至周五
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