HMC751是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)，采用符合RoHS标准的无引脚“无铅”SMT封装。 HMC751提供25 dB小信号增益、2.2 dB噪声系数及+25 dBm输出IP3。 +13 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC751可以使用…
2020-04-26 22:23:45
HMC902-裸片是一款砷化镓(GaAs)、假晶(pHEMT)单芯片微波集成电路(MMIC)、低噪声放大器(LNA)，通过可选偏置控制实现自偏置，以降低IDQ。HMC902-裸片的工作频率范围为5 GHz至11 GHz。该LNA提供20 dB的小信号增益、1.6 dB的噪声系数、28 dBm的输出IP3，采用3.5 V电源时…
2020-04-26 22:23:43
HMC962LC4是一款自偏置GaAs MMIC低噪声放大器，采用无铅4x4 mm陶瓷表面贴装封装。 该放大器的工作频率范围为7.5至26.5 GHz，提供13 dB的小信号增益，2.5 dB的噪声系数，+23 dBm的输出IP3，采用+3.5 V电源供电时功耗仅为70 mA。 +13 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作平衡…
2020-04-26 22:23:38
HMC903LP3E是一款自偏置、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶(pHEMT)、低噪声放大器(LNA)，提供可选偏置控制来降低IDQ。采用16引脚、3 mm × 3 mm、LFCSP封装。HMC903LP3E放大器的工作频率范围为6 GHz至17 GHz，提供18.5 dB的小信号增益，1.7 dB的噪声系…
2020-04-26 22:22:59
HMC903是一款 GaAs MMIC低噪声放大器，工作频率范围为6至18 GHz。 该LNA提供19 dB的小信号增益、1.6 dB的噪声系数、27 dBm的输出IP3，采用+3.5 V电源时功耗仅为90 mA。 16 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC903还具有隔直I…
2020-04-26 22:22:55
HMC902LP3E是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)低噪声放大器(LNA)，通过可选偏置控制实现自偏置，以降低IDQ。HMC902LP3E采用无引脚3 mm × 3 mm塑料表贴封装。该放大器的工作频率范围为5 GHz至11 GHz，提供19.5 dB的小信号…
2020-04-26 22:22:47
HMC1049LP5E是一款GaAs MMIC低噪声放大器，工作频率范围为0.3至20 GHz。该LNA提供15 dB的小信号增益、1.8 dB的噪声系数、29 dBm的输出IP3，采用+7V电源时功耗仅为70 mA。14.5 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。Vdd可施加于引脚…
2020-04-26 22:22:16
The HMC1049 is a GaAs MMIC low noise amplifier (LNA) that operates between 0.3 GHz and 20 GHz. This LNA provides 16 dB of small signal gain, a 1.7 dB noise figure, and an Output IP3 of 27 dBm, requiri
2020-04-26 22:22:12
HMC1040LP3CE是一款自偏置GaAs MMIC低噪声放大器，采用无铅3x3 mm塑料表面贴装封装。 该放大器的工作频率范围为24至43.5 GHz，提供23 dB的小信号增益，2.2 dB的噪声系数，+22 dBm的输出IP3，同时所需电源范围仅为70 mA至+2.5 V。 +12 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许…
2020-04-26 22:22:06
HMC1040CHIPS 是一款砷化镓 (GaAs)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、微波单片集成电路 (MMIC) 低噪声宽带放大器，工作范围为 20 GHz 至 44 GHz。HMC1040CHIPS 具有自偏置功能，并提供 25.0 dB 的典型增益、2 dB 的典型噪声指数和 25.5 dBm 的典型输出三阶交调点 (I…
2020-04-26 22:22:00
HMC8401是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)。HMC8401是一款宽带低噪声放大器，工作频率范围为DC至28 GHz.该放大器提供14.5 dB增益、1.5 dB噪声系数、26 dBm输出IP3和16.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩），同时功耗为60 mA（…
2020-04-26 22:21:33
HMC1126是一款GaAs pHEMT MMIC分布式功率放大器，工作频率范围为2 GHz至50 GHz。 本放大器提供11 dB增益，28 dBm输出IP 3和+17.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为65 mA（采用+5 V电源）。 HMC1126放大器I/O内部匹配50 Ω阻抗，方便集成多芯片模块(MCM)。 所有数…
2020-04-26 22:21:05
HMC1127是一款GaAs pHEMT MMIC分布式功率放大器，工作频率范围为2 GHz至50 GHz。 本放大器提供14.5 dB增益，23 dBm输出IP3和12.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为80 mA（采用+5V电源）。 HMC1127放大器I/O内部匹配50 Ω阻抗，方便集成多芯片模块(MCM)。 所有数…
2020-04-26 22:21:01
HMC8400是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)。 HMC8400是一款宽带低噪声放大器，工作频率范围为2 GHz至30 GHz. 该放大器提供13.5 dB增益、2 dB噪声系数、26.5 dBm输出IP3和14.5 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为67 mA…
2020-04-26 22:20:40
HMC392ALC4是一款GaAs MMIC低噪声放大器，工作频率范围为3.5至8.0 GHz。该放大器采用无引脚4x4 mm SMT封装，电源电压为+5V，提供17 dB增益、1.8 dB噪声系数和34.5 dBm IP3。HMC392ALC4可以作为驱动放大器使用，也可以作为低噪声前端使用。隔直RF输入和输出引脚匹配至…
2020-04-26 22:20:38
ADL5726是一款针对微波无线链路接收器设计的窄带、高性能、低噪声放大器。单芯片硅锗(SiGe)设计在21.2 GHz至23.6 GHz频率范围内针对微波无线链路频带进行优化。该独特的设计提供单端50 Ω输入阻抗和100 Ω平衡差分输出，非常适合驱动ADI公司的差分下变频器和射频(RF)…
2020-04-26 22:20:35
HMC392A是一款GaAs MMIC低噪声放大器裸片，工作频率范围为3.5至7.0 GHz。 该放大器采用+5V电源，提供15.5 dB增益、2.4 dB噪声系数和28 dBm IP3。 HMC392A具有6个焊接调整选项，允许用户选择器件的偏置点和输出功率（+15 dBm至+18 dBm）。 由于尺寸较小(1.3 mm²)，HM…
2020-04-26 22:20:35
ADL5725是一款针对微波无线链路接收器设计的窄带、高性能、低噪声放大器。单芯片硅锗(SiGe)设计在17.7 GHz至19.7 GHz频率范围内针对微波无线链路频带进行优化。该独特的设计提供单端50 Ω输入阻抗和100 Ω平衡差分输出，非常适合驱动ADI公司的差分下变频器和射频(RF)…
2020-04-26 22:20:31
ADL5724是一款针对微波无线链路接收器设计的窄带、高性能、低噪声放大器。单芯片硅锗(SiGe)设计在12.7 GHz至15.4 GHz频率范围内针对微波无线链路频带进行优化。该独特的设计提供单端50 Ω输入阻抗和100 Ω平衡差分输出，非常适合驱动ADI公司的差分下变频器和射频(RF)…
2020-04-26 22:20:27
ADL5723是一款针对微波无线链路接收器设计的窄带、高性能、低噪声放大器。单芯片硅锗(SiGe)设计在10.1 GHz至11.7 GHz频率范围内针对微波无线链路频带进行优化。该独特的设计提供单端50 Ω输入阻抗和100 Ω平衡差分输出，非常适合驱动ADI公司的差分下变频器和射频(RF)…
2020-04-26 22:20:20周一至周五
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