开关损耗_技术搜索

探讨高输出电流应用时的注意事项　其2

上一篇文章中，介绍了在探讨输出电流较大的应用时应该注意的两个注意事项中的第一项。关键要点是要想提高输出电流，需要使用导通
2020-09-18 16:02:31
探讨高输出电流应用时的注意事项　其1

上一篇文章介绍了输入电压升高时损耗增加的部分、注意事项及相应的对策。本文将介绍在探讨输出电流较大的应用时应该注意的两个事
2020-09-18 16:02:28
探讨高输入电压应用时的注意事项

上一篇文章探讨了通过提高开关频率来实现应用小型化时的注意事项。本文将通过输入电压升高的案例，来探讨损耗增加部分、注意事项
2020-09-18 16:02:25
探讨通过提高开关频率来实现小型化时的注意事项

上一篇文章介绍了不同条件下的主要损耗因素。从本文开始，将介绍为了满足应用的规格要求，在探讨工作和运行等过程中应该注意的主
2020-09-18 16:02:23
同步整流降压转换器的开关损耗

上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关–输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗。开关损耗
2020-09-18 16:01:59
同步整流降压转换器的传导损耗

在上一篇文章中，我们了解了同步整流降压转换器的损耗发生位置，并介绍了转换器整体的损耗是各部位的损耗之和。从本文开始将探讨
2020-09-18 16:01:53
同步整流降压转换器的损耗

本文开始探讨同步整流降压转换器的损耗。首先，我们来看一下同步整流降压转换器发生损耗的部位。然后，会对各部位的损耗进行探讨
2020-09-18 16:01:51
噪声对策：缓冲电路、自举电阻、栅极电阻

本文是分两次介绍噪声对策的第二次介绍。本次要介绍的对策是通过增加降噪电路或增加部件来降低噪声的三个方法。降压型转换器工作
2020-09-18 16:00:28
重要检查点：温度测量和损耗测量

关于绝缘型反激式转换器的性能评估，除了规格以外，需要确认的重要检查点进入温度测量和损耗测量相关说明。MOSFET的漏极电压和电
2020-09-18 15:58:35
全SiC功率模块的开关损耗

全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要
2020-09-18 15:49:48
所谓SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品

本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程
2020-09-18 15:49:37
所谓SiC-MOSFET－体二极管的特性

上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MO
2020-09-18 15:49:35
与IGBT的区别

上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：V
2020-09-18 15:49:32
减少开关损耗：儒卓力提供来自罗姆的节能SiC-MOSFET

罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款，与
2020-08-27 10:15:40