HMC406驱动放大器参数介绍及中文PDF下载
HMC406MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)MMIC功率放大器,工作频率范围为5至6 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装,带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供17 dB增益,饱和功率为+29 dBm(38% PAE时),电源电压…
2020-04-26 22:38:15HMC406MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)MMIC功率放大器,工作频率范围为5至6 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装,带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供17 dB增益,饱和功率为+29 dBm(38% PAE时),电源电压…
2020-04-26 22:38:15HMC342LC4是一款GaAs PHEMT MMIC低噪音放大器,采用符合RoHS标准的无引脚4x4 mm SMT封装。 该放大器的工作频率范围为13至25 GHz,采用+3V单电源时提供22 dB增益和+19 dBm输出IP3。 3.5 dB的低噪声系数性能非常适合接收和发送前置驱动器应用。 隔直RF I/O匹配至50 Ω…
2020-04-26 22:37:42HMC342芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为13至25 GHz。 由于尺寸较小(2.14 mm²),该芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 该芯片采用GaAs PHEMT工艺制造而成,采用3 V (41 mA)单个偏置电源时提供20 dB增益,噪声系数为3.5 dB。 所有数据均采用50…
2020-04-26 22:37:30HMC341LC3B是一款GaAs PHEMT MMIC低噪音放大器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装。 该放大器的工作频率范围为21至29 GHz,采用+3V单电源时提供13 dB增益和2.5 dB噪声系数。 隔直RF I/O匹配至50 Ω,无需外部元件。 HMC341LC3B无需线焊,可以使用表贴制造技术。 Appl…
2020-04-26 22:37:07HMC341芯片是一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为24至30 GHz。 由于尺寸较小(1.51 mm²),该芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 该芯片采用GaAs PHEMT工艺制造而成,采用3V (30 mA)单个偏置电源时提供13 dB增益,噪声系数为2.5 dB。 所有数据均采用50 …
2020-04-26 22:37:01HMC327MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器,工作频率范围为3至4 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装,带有裸露基座以改善RF和热性能。 它采用极少的外部元件提供21 dB增益,饱和功率为+30 dBm(45% PAE时),电源电压为…
2020-04-26 22:36:53HMC326MS8G 和 HMC326MS8GE 是高效率的 GaAs InGaP 异质结双极晶体管 (HBT) MMIC 驱动放大器,工作频率为 3.0 GHz 至 4.5 GHz。该放大器采用低成本、表面贴装且裸露基底的 8 引脚封装,旨在改善 RF 和热性能。该放大器使用 +5V 电源电压,可提供 21 dB 的增益和 +26 …
2020-04-26 22:36:38HMC441LP3(E)是一款宽带GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为6.5至13.5 GHz。 该无铅塑料QFN表贴封装放大器提供14 dB增益,饱和功率为+20 dBm(20% PAE时),电源电压为+5V。 提供可选的栅极偏置,以便调节增益、RF输出功率和直流功耗。 50 Ω匹配放大器无…
2020-04-26 22:36:33HMC441LM1是一款宽带7至15.5 GHz GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 该放大器提供15 dB增益,饱和功率为21.5 dBm(27% PAE时),电源电压为+5V。 提供可选的栅极偏置,以便调节增益、RF输出功率和直流功耗。 50 Ω匹配放大器无需任何外部…
2020-04-26 22:36:28HMC461LP3(E)是一款1.7 - 2.2 GHz高输出IP3 GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)双通道MMIC放大器。 它在单个集成电路中,提供两个HMC455LP3高IP3驱动器的线性性能,可在平衡或推挽放大器电路中配置。 该放大器提供12 dB的增益和+30.5 dBm的饱和功率(当PAE为48%时)…
2020-04-26 22:36:15HMC441LH5是一款宽带7至15.5 GHz GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用密封型SMT无引脚封装。 该放大器提供15 dB增益,饱和功率为21.5 dBm(25% PAE时),电源电压为+5V。 50 Ω匹配放大器无需任何外部元件,且RF I/O经过隔直,非常适合用作线性增益模块或驱动放大器…
2020-04-26 22:36:15HMC441LC3B是一款高效GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用符合RoHS标准的无铅SMT封装。 该放大器具有6至18 GHz的工作范围,提供14 dB增益、+21.5 dBm饱和功率和27% PAE(+5V电源)。 50 Ω匹配放大器无需任何外部元件并采用单正电源工作,非常适合用作线性增益模块…
2020-04-26 22:36:10HMC455LP3(E)是一款高输出的IP3 GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1⁄2瓦特MMIC放大器,在1.7至2.5 GHz的频率下工作。 该放大器仅使用最小数量的外部元件,提供13 dB的增益,在PAE为56%时提供+28 dBm的饱和功率,使用单个+5 Vdc电压电源。 由于具有+42 dBm的高输…
2020-04-26 22:35:58HMC441是一款高效的GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为6至18 GHz。该放大器提供15.5 dB增益,饱和功率为+22 dBm,电源电压为+5V (23% PAE)。提供可选的栅极偏置,以便调节增益、RF输出功率和直流功耗。由于尺寸较小,HMC441放大器可轻松集成到多芯片模块…
2020-04-26 22:35:58HMC465LP5(E)是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器,采用5x5 mm无引脚表贴封装,在DC到20 GHz的频率范围内工作。 该放大器提供15 dB增益、3 dB噪声系数,饱和输出功率为+25 dBm,采用+8V电源时功耗仅为160 mA。 它具有0.5 dB的出色增益平坦度,在DC至10 GHz的频率…
2020-04-26 22:35:50HMC442LM1是一款宽带17.5至24 GHz GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,采用SMT无引脚芯片载体封装。 LM1采用真正的表贴宽带毫米波封装,提供低损耗和出色的I/O匹配,并保持MMIC芯片性能。 该放大器提供14 dB增益,饱和功率为+23 dBm(27% PAE时),电源电压为+5V。 50 …
2020-04-26 22:35:49HMC408LP3(E)是一款5.1 - 5.9 GHz高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)功率放大器MMIC,提供+30 dBm P1dB。 该放大器提供20 dB增益,饱和功率为+32.5 dBm,电源电压为+5V (27% PAE)。 输入内部匹配至50 Ohms,输出需极少的外部元件。 Vpd可用于全省电模式或RF输…
2020-04-26 22:35:44HMC442是一款高效的GaAs PHEMT MMIC中等功率放大器,工作频率范围为17.5至25.5 GHz。 HMC442提供15 dB增益,饱和功率为+23 dBm,电源电压为+5V (25% PAE)。 由于尺寸较小,该放大器芯片可轻松集成到多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 Ω测试夹具中的芯片测得,该…
2020-04-26 22:35:44HMC465是一款GaAs MMIC PHEMT分布式驱动放大器裸片,在DC到20 GHz的频率范围内工作。 该放大器提供17 dB增益、2.5 dB噪声系数,饱和输出功率为+24 dBm,采用+8V电源时功耗仅为160 mA。 它具有± 0.25 dB的出色增益平坦度,在DC至10 GHz的频率范围内与线性相位的偏差…
2020-04-26 22:35:33HMC375LP3(E)是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器,非常适合GSM和CDMA蜂窝基站前端接收机,工作频率范围为1.7至2.2 GHz。 该LNA经过优化,在+5V单电源时(136mA)提供0.9 dB的噪声系数、17 dB的增益和+33 dBm的输出IP3。 输入和输出回损为14 dB(典型值),LN…
2020-04-26 22:35:23