整流_技术搜索

整流二极管和肖特基二极管国产替换的条件

随着当下科技的飞速发展，我们的生活已与各类电子产品发生了不可分割的关系，众所周知，在生产电子产品时常会用到的两种电子产品
2022-09-28 14:01:02
整流桥是做什么用的？整流桥参数选用原则

整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个二极管封在一起。半桥是将四个二极管桥式
2022-07-12 09:15:21
同步整流型的布局

此前介绍过的电路板布局是以“升压型DC/DC转换器的电流路径”中的二极管整流（异步整流）升压型转换器为前提进行的，在本文中，
2021-06-01 14:36:56
探讨高输出电流应用时的注意事项　其2

上一篇文章中，介绍了在探讨输出电流较大的应用时应该注意的两个注意事项中的第一项。关键要点是要想提高输出电流，需要使用导通
2020-09-18 16:02:31
探讨高输出电流应用时的注意事项　其1

上一篇文章介绍了输入电压升高时损耗增加的部分、注意事项及相应的对策。本文将介绍在探讨输出电流较大的应用时应该注意的两个事
2020-09-18 16:02:28
探讨高输入电压应用时的注意事项

上一篇文章探讨了通过提高开关频率来实现应用小型化时的注意事项。本文将通过输入电压升高的案例，来探讨损耗增加部分、注意事项
2020-09-18 16:02:25
探讨通过提高开关频率来实现小型化时的注意事项

上一篇文章介绍了不同条件下的主要损耗因素。从本文开始，将介绍为了满足应用的规格要求，在探讨工作和运行等过程中应该注意的主
2020-09-18 16:02:23
损耗因素

本文将探讨工作条件和损耗增加之间的关系。损耗因素此前介绍过在电源电路的很多部位都会产生损耗，整体损耗的构成部分–特
2020-09-18 16:02:20
封装选型时的热计算示例 2

继上一篇文章“封装选型时的热计算示例 1”之后，本文将作为“热计算示例 2”，继续探讨为了使用目标封装而采取的相应对策。封装
2020-09-18 16:02:17
封装选型时的热计算示例 1

在此前的文章中介绍了损耗的发生部位以及通过计算求出相应损耗的方法。从本文开始，将介绍根据求得的损耗进行热计算，并判断在实
2020-09-18 16:02:14
损耗的简单计算方法

上一篇文章介绍了电源IC整体损耗的计算方法，即求出各部分的损耗并将这些损耗相加的方法。本文将在“简单”的前提下，介绍一种利
2020-09-18 16:02:12
电源IC的功率损耗计算示例

此前计算了损耗发生部分的损耗，本文将介绍汇总这些损耗并作为电源IC的损耗进行计算的例子。电源IC的功率损耗计算示例（内置MOSF
2020-09-18 16:02:09
电感的DCR带来的传导损耗

本文是各损耗发生部分的最后一篇，将探讨输出电感DCR相关的损耗，即下图中浅蓝色的“PCOIL”所示的部分。电感的DCR带来的传导损
2020-09-18 16:02:07
同步整流降压转换器的栅极电荷损耗

本文将探讨功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗，即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。栅极电荷损耗栅极电荷损耗是由该
2020-09-18 16:02:04
同步整流降压转换器的控制IC功率损耗

继上一篇“死区时间损耗”之后，本文将探讨控制IC（Controller）自身功耗中的损耗。控制IC的自身功率损耗在该例中，使用同步整流
2020-09-18 16:02:01
同步整流降压转换器的开关损耗

上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关–输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗。开关损耗
2020-09-18 16:01:59
同步整流降压转换器死区时间的损耗

上一篇文章中介绍了同步整流降压转换器的开关节点产生的开关损耗。本文将探讨开关节产生的死区时间损耗。死区时间损耗死区时间损
2020-09-18 16:01:56
同步整流降压转换器的传导损耗

在上一篇文章中，我们了解了同步整流降压转换器的损耗发生位置，并介绍了转换器整体的损耗是各部位的损耗之和。从本文开始将探讨
2020-09-18 16:01:53
同步整流降压转换器的损耗

本文开始探讨同步整流降压转换器的损耗。首先，我们来看一下同步整流降压转换器发生损耗的部位。然后，会对各部位的损耗进行探讨
2020-09-18 16:01:51
开关稳压器的基础：自举

自举电路是在输出开关上侧晶体管使用Nch MOSFET时所必要的电路。最近许多电源IC都搭载该电路，因此在评估电源电路时最好事先理解
2020-09-18 16:01:00