低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作
上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间
2021-06-01 14:16:19上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间
2021-06-01 14:16:19上一篇文章中,简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细
2021-06-01 14:16:14意法半导体发布了紧凑的高压栅极驱动器STGAP2HS,适用于栅极驱动侧与低压控制接口电路之间要求6kV电隔离的应用场景。这款1200V器
2021-06-01 14:15:30意法半导体推出一款75V以下低压工业应用高集成度三相半桥驱动器IC,这是一个节省空间、节能高效的电机控制解决方案,适用于控制
2021-06-01 14:14:49STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品,可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET,工作电源电压高达1200V。STGAP2
2021-06-01 14:12:41本文将探讨功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗,即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。栅极电荷损耗栅极电荷损耗是由该
2020-09-18 16:02:04本文开始探讨同步整流降压转换器的损耗。首先,我们来看一下同步整流降压转换器发生损耗的部位。然后,会对各部位的损耗进行探讨
2020-09-18 16:01:51本文是分两次介绍噪声对策的第二次介绍。本次要介绍的对策是通过增加降噪电路或增加部件来降低噪声的三个方法。降压型转换器工作
2020-09-18 16:00:28本文将对电源IC BD7682FJ的外置MOSFET的开关调整部件和调整方法进行介绍。MOSFET栅极驱动调整电路:R16、R17、R18、D17为了优化
2020-09-18 15:57:06本文将从设计角度首先对在设计中使用的电源IC进行介绍。如“前言”中所述,本文中会涉及“准谐振转换器”的设计和功率晶体管使用
2020-09-18 15:56:38在上一篇文章中,对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。本文将介绍在SiC MOSFET
2020-09-18 15:50:15本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。SiC MOSFET
2020-09-18 15:50:12本文将介绍使用了全SiC模块的设计和评估支持工具。全SiC模块损耗模拟器ROHM免费提供可用来探讨和选用全SiC模块的损耗模拟器。仅
2020-09-18 15:50:01作为应用全SiC模块的应用要点,本文将在上一篇文章中提到的缓冲电容器基础上,介绍使用专用栅极驱动器对开关特性的改善情况。全S
2020-09-18 15:49:59上一篇文章对全SiC模块栅极驱动的评估事项之一“栅极误导通”进行了介绍。本文将作为“其2”介绍栅极误导通的处理方法。“栅极误
2020-09-18 15:49:53从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项,在下次“其2”中介
2020-09-18 15:49:51从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细
2020-09-18 15:49:29三相电机运行需要三相逆变器,其一般组成为:6个功率晶体管(MOSFETs或IGBTs)、控制晶体管的栅极驱动器(一个或多个)、实现控
2020-06-30 10:34:05ADuM3220/ADuM3221是采用ADI公司iCoupler®技术的4 A隔离式双通道栅极驱动器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体,具有优于脉冲变压器和栅极驱动器组合等替代器件的出色性能特征。ADuM3220/ADuM3221提供两个独立隔离通道中的数字隔离。它们具有60 ns…
2020-04-27 15:15:16ADuM3220/ADuM3221是采用ADI公司iCoupler®技术的4 A隔离式双通道栅极驱动器。这些隔离器件将高速CMOS与单芯片变压器技术融为一体,具有优于脉冲变压器和栅极驱动器组合等替代器件的出色性能特征。ADuM3220/ADuM3221提供两个独立隔离通道中的数字隔离。它们具有60 ns…
2020-04-27 15:15:14