探讨高输入电压应用时的注意事项
上一篇文章探讨了通过提高开关频率来实现应用小型化时的注意事项。本文将通过输入电压升高的案例,来探讨损耗增加部分、注意事项
2020-09-18 16:02:25上一篇文章探讨了通过提高开关频率来实现应用小型化时的注意事项。本文将通过输入电压升高的案例,来探讨损耗增加部分、注意事项
2020-09-18 16:02:25上一篇文章介绍了不同条件下的主要损耗因素。从本文开始,将介绍为了满足应用的规格要求,在探讨工作和运行等过程中应该注意的主
2020-09-18 16:02:23本文将探讨工作条件和损耗增加之间的关系。损耗因素此前介绍过在电源电路的很多部位都会产生损耗,整体损耗的构成部分–特
2020-09-18 16:02:20继上一篇文章“封装选型时的热计算示例 1”之后,本文将作为“热计算示例 2”,继续探讨为了使用目标封装而采取的相应对策。封装
2020-09-18 16:02:17在此前的文章中介绍了损耗的发生部位以及通过计算求出相应损耗的方法。从本文开始,将介绍根据求得的损耗进行热计算,并判断在实
2020-09-18 16:02:14上一篇文章介绍了电源IC整体损耗的计算方法,即求出各部分的损耗并将这些损耗相加的方法。本文将在“简单”的前提下,介绍一种利
2020-09-18 16:02:12此前计算了损耗发生部分的损耗,本文将介绍汇总这些损耗并作为电源IC的损耗进行计算的例子。电源IC的功率损耗计算示例(内置MOSF
2020-09-18 16:02:09本文是各损耗发生部分的最后一篇,将探讨输出电感DCR相关的损耗,即下图中浅蓝色的“PCOIL”所示的部分。电感的DCR带来的传导损
2020-09-18 16:02:07本文将探讨功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗,即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。栅极电荷损耗栅极电荷损耗是由该
2020-09-18 16:02:04继上一篇“死区时间损耗”之后,本文将探讨控制IC(Controller)自身功耗中的损耗。控制IC的自身功率损耗在该例中,使用同步整流
2020-09-18 16:02:01上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关–输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗。开关损耗
2020-09-18 16:01:59上一篇文章中介绍了同步整流降压转换器的开关节点产生的开关损耗。本文将探讨开关节产生的死区时间损耗。死区时间损耗死区时间损
2020-09-18 16:01:56在上一篇文章中,我们了解了同步整流降压转换器的损耗发生位置,并介绍了转换器整体的损耗是各部位的损耗之和。从本文开始将探讨
2020-09-18 16:01:53本文开始探讨同步整流降压转换器的损耗。首先,我们来看一下同步整流降压转换器发生损耗的部位。然后,会对各部位的损耗进行探讨
2020-09-18 16:01:51在探讨损耗之前,我们先来看一下损耗相关的定义以及发热和结温。损耗与效率 为了更好地理解,我们来看一下效率的定义、以及效率
2020-09-18 16:01:48针对“开关稳压器的评估”,我们已经说明了“输出电压”、“负载调节”、“负载响应的探讨、测量方法”以及“电感电流的测量”等
2020-09-18 16:01:43“开关稳压器的评估”第4项为“电感电流的测量”,说明电感电流的测量方法和评估要点。・关于电感一开始要稍微偏离一下主题。在
2020-09-18 16:01:41由此项开始进入新章“开关稳压器的评估”。“开关稳压器的基础”、“电源IC技术规格的解读方法”2章定位在实际评估开关稳压器所
2020-09-18 16:01:33不论使用电源IC与否,使用IC时必须探讨热问题,切勿超过最大额定Tjmax(最大接合部温度/结温),并视情况进行散热设计。特别是电
2020-09-18 16:01:30针对“电源IC技术规格的解读方法”,我们已经说明了“技术规格的封面”、“框图”、“绝对最大额定和推荐工作条件”、“电气特性
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