HMC415驱动放大器参数介绍及中文PDF下载
HMC415LP3(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器,工作频率范围为4.9至5.9 GHz。 该放大器采用低成本、无铅表面贴装封装,带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供20 dB增益,饱和功率为+26 dBm(34% PAE时),电源电…
2020-04-26 22:39:08HMC415LP3(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器,工作频率范围为4.9至5.9 GHz。 该放大器采用低成本、无铅表面贴装封装,带有裸露基座以改善RF和散热性能。 它采用极少的外部元件提供20 dB增益,饱和功率为+26 dBm(34% PAE时),电源电…
2020-04-26 22:39:08HMC313(E)是一款GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC放大器,采用Vcc单电源工作。 表面贴装SOT26放大器可用作宽带增益级,或用于针对窄带应用优化的外部匹配。 Vcc偏置为+5V,HMC313(E)提供17 dB的增益和+15 dBm的饱和功率,同时所需电流仅为50 mA。 “应用笔记…
2020-04-26 22:36:37HMC463LH250是一款GaAs MMIC PHEMT低噪声AGC分布式放大器,采用密封型表贴封装,工作频率范围为2至20 GHz。 该放大器提供13 dB增益、3.0 dB噪声系数和18 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用+5V电源时功耗仅为60 mA它还提供可选的栅极偏置(Vgg2),可调增益控制(AGC)可…
2020-04-26 22:34:26HMC517LC4是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA)芯片,采用符合RoHS标准的无引脚无铅SMT封装。 HMC517LC4提供19 dB小信号增益、2.5 dB噪声系数及+23 dBm输出IP3。 +13 dBm的P1dB输出功率使LNA可用作许多平衡、I/Q或镜像抑制混频器的LO驱动器。 HMC517LC4…
2020-04-26 22:33:17HMC517是一款高动态范围GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器芯片,工作频率范围为17至26 GHz。 HMC517提供19 dB小信号增益、2.2 dB噪声系数及高于+24 dBm的输出IP3。 由于尺寸较小,该芯片可轻松集成到混合组件或多芯片模块(MCM)中。 所有数据均采用50 ohm测试夹具中的芯片…
2020-04-26 22:33:08HMC460LC5是一款GaAs MMIC pHEMT低噪声分布式放大器,采用无引脚5 x 5 mm陶瓷表贴封装,工作频率范围为DC至20 GHz。该放大器提供14 dB增益、2.5 dB噪声指数和+16.5 dBm输出功率(1 dB增益压缩),采用Vdd = 8V电源电压时功耗仅为75 mA。HMC460LC5在DC至20 GHz范围内…
2020-04-26 22:31:47HMC457QS16G(E)是一款高动态范围GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT)、1瓦特MMIC功率放大器,在1.7至2.2 GHz的频率下工作。 该放大器采用微型16引脚QSOP塑料封装,其增益在1.7至2.0 GHz频率下通常为27 dB,在2.0至2.2 GHz频率下通常为25 dB。 它仅使用极小数量的外部…
2020-04-26 22:31:16HMC659LC5是一款GaAs MMIC PHEMT分布式功率放大器,采用符合RoHS标准的5x5 mm无引脚陶瓷表贴封装,在DC到15 GHz的频率范围内工作。该放大器提供19 dB增益、+35 dBm输出IP3和+27.5 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为300mA(采用+8V电源)。HMC659LC5在DC - 15 GHz…
2020-04-26 22:29:51HMC609LC4是一款GaAs PHEMT MMIC低噪声放大器(LNA),工作频率范围为2至4 GHz。 HMC609LC4在整个工作频段内具有出色的平坦性能特性,包括20 dB小信号增益、3.5 dB噪声系数和+36.5 dBm输出IP3。 50 Ω匹配放大器无需任何外部匹配元件。 HMC609LC4可使用高容量表贴制造…
2020-04-26 22:29:24HMC-AUH317是一款高动态范围的三级GaAs HEMT MMIC中等功率放大器,在81至86 GHz的频率下工作。 HMCAUH317提供22 dB的增益,在1 dB压缩点提供+17.5 dBm的输出功率,采用+4V电源电压。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,放大器器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC…
2020-04-26 22:28:40HMC606LC5是一款GaAs InGaP HBT MMIC分布式放大器,采用无引脚5x5 mm表贴封装,工作频率范围为2至18 GHz。 该放大器具有12 GHz输入信号,在10 kHz失调下提供-160 dBc/Hz的超低相位噪声性能,与基于FET的分布式放大器相比有明显改善。HMC606LC5提供13.5 dB小信号增益…
2020-04-26 22:28:37由凌力尔特公司提供的 H (金属圆帽)、J (陶瓷) 和 K (金属圆帽) 封装器件现已停产。LT®1008 是一款通用型精准运算放大器,几乎可在所有的精密型应用中使用。LT1008 首次将皮安 (pA) 偏置电流 (在整个 -55°C 至 125°C 的温度范围内得以保持)、微伏 (μV) 失调电压 …
2020-04-26 22:18:42LT®1001 显著地推进了高精度运算放大器的尖端技术水平。在器件的设计、加工和测试过程中,对多项关键参数整体分布的优化给予了特殊的关注。因此,与同等级别的竞争高精度放大器相比,最低成本的商用温度等级器件 (LT1001C) 其规格指标取得了大幅度的改善。基本上,…
2020-04-26 22:18:17LT®1055 / LT1056 JFET 输入运算放大器兼具精准规格指标和高速性能。 16V/μs 摆率和 6.5MHz 增益带宽积与 50μV (典型值) 失调电压、1.2μV/°C 漂移、40pA (70°C) 和 500pA (125°C) 偏置电流首次得以同时实现。 150μV 最大失调电压指标是目前所有 JFET 输入…
2020-04-26 22:18:00LT®1055 / LT1056 JFET 输入运算放大器兼具精准规格指标和高速性能。 16V/μs 摆率和 6.5MHz 增益带宽积与 50μV (典型值) 失调电压、1.2μV/°C 漂移、40pA (70°C) 和 500pA (125°C) 偏置电流首次得以同时实现。 150μV 最大失调电压指标是目前所有 JFET 输入…
2020-04-26 22:17:49LT®1028 (具数值为 –1 的稳定增益) / LT1128 (具数值为 +1 的稳定增益) 实现了卓越噪声性能的新标准 — 0.85nV/√Hz 1kHz 噪声和 1.0nV/√Hz 10Hz 噪声。这种超低噪声与出色的高速规格指标 (LT1028 的增益-带宽乘积为 75MHz,而 LT1128 则为 20MHz)、无失真输出、…
2020-04-26 22:17:37LTC®1052 和 LTC7652 是低噪声零漂移运放,采用凌力尔特 (现隶属 ADI) 的增强型 LTCMOS™ 硅栅工艺制造。斩波器稳定不断地校正失调电压误差。初始失调以及由于时间推移、温度和共模电压波动引起的失调变化均得到校正。这与微微安级输入电流相结合,使这两款放大器拥…
2020-04-26 22:17:36LT®1022 JFET 输入运算放大器兼具高速和精准性能。26V/μs 转换速率和 8.5MHz 增益-带宽乘积与 80μV (典型值) 失调电压、1.5μV/°C 漂移、在 70°C 时的 50pA 偏置电流和在 125°C 时的 500pA 偏置电流得以同时实现。250μV 最大失调电压指标在 14 位、10V 系统中…
2020-04-26 22:17:25LT®1178 是一款采用标准 8 引脚配置的微功率、双通道运放;LT1179 是一款采用标准 14 引脚封装的微功率 4 通道运放。这两款器件均专为 5V 单电源操作进行了优化。另外,还提供了采用 ±15V 电源时的规格指标。极低的电源电流与真正精准的规格指标组合在一起:失调电…
2020-04-26 22:17:21LT®1178 是一款采用标准 8 引脚配置的微功率、双通道运放;LT1179 是一款采用标准 14 引脚封装的微功率 4 通道运放。这两款器件均专为 5V 单电源操作进行了优化。另外,还提供了采用 ±15V 电源时的规格指标。极低的电源电流与真正精准的规格指标组合在一起:失调电…
2020-04-26 22:17:10