东芝和日本半导体提出新方法 可优化LDMOS中的HBM容差并抑制导通电阻
6月11日，东芝电子器件与存储株式会社（东芝）和日本半导体株式会社（日本半导体）共同展示了一种改进方法，可提高高压横向双扩
2021-06-17 10:33:00
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意法半导体的STPOWER LDMOS晶体管产品家族新最近新增多款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，均是针对各种商用和工业用射频
2021-09-01 10:49:26意法半导体的STPOWER LDMOS晶体管产品家族新最近新增多款产品，该产品家族有三个不同的产品系列，均是针对各种商用和工业用射频
2021-09-01 10:49:25
6月11日，东芝电子器件与存储株式会社（东芝）和日本半导体株式会社（日本半导体）共同展示了一种改进方法，可提高高压横向双扩
2021-06-17 10:33:00
继前篇内容，继续进行各功率晶体管的比较。本篇比较结构和特征。功率晶体管的结构与特征比较下图是各功率晶体管的结构、耐压、导
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