LTC4354PowerPath、理想二极管和负载开关参数介绍及中文PDF下载
LTC®4354 是一款负电压二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。该器件可替代两个肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。通过采用 N 沟道 MOSFET 作为传输晶体管，极大地降低了功率耗散。可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提…
2020-04-27 15:14:16
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LTC®4354 是一款负电压二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。该器件可替代两个肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。通过采用 N 沟道 MOSFET 作为传输晶体管，极大地降低了功率耗散。可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提…
2020-04-27 15:14:16
LTC®4355 是一款正电压理想二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。利用 N 沟道 MOSFET (而不是肖特基二极管) 来形成二极管“或”可降低功耗、减少热耗散和 PC 板面积。 借助 LTC4355 可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。LT…
2020-04-27 15:13:57
LTC®4357 是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，LTC4357 能够降低功耗、热耗散、电压损失并缩减 PC 板面积。LTC4357 能够很容易地对电源进行“或”操作，以提高总…
2020-04-27 15:13:54
LTC®4352 采用一个外部 N 沟道 MOSFET 产生一个近理想的二极管。它可替代一个高功率肖特基二极管和相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。理想二极管功能实现了低损耗电源 “或” 和电源保持应用。 LTC4352 负责调节 MOSFET 两端的正向电压降，以在二极管 “…
2020-04-27 15:13:52
LTC®4358 是一款 5A 理想二极管，当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，该器件采用一个内部 20mΩ N 沟道 MOSFET 来替代一个肖特基二极管。LTC4358 降低了功耗、减少了热耗散，并压缩了 PC 板面积。 LTC4358 可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整…
2020-04-27 15:13:51LTC®4359 是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。该器件可控制 MOSFET 两端的正向电压降，以确保无振荡的平滑电流传输，即使在轻负载条件下也不例外。如果电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑制反向电流瞬…
2020-04-27 15:13:46
LTC®4353 可控制外部 N 沟道 MOSFET 以实现理想二极管功能。该器件可替代两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。理想二极管功能可实现低损耗电源“或”及电源保持应用。LTC4353 可调节 MOSFET 两端的正向电压降，以确保二极管“或”应…
2020-04-27 15:13:39周一至周五
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