绝缘栅型场效应管的主要参数

有直流参数，包括开启电压、夹断电压、饱和漏极电流、输入电阻；交流参数，即低频跨导；极限参数，包括反向击穿电压和漏极功耗。

1.开启电压Ur

Ur是增强型MOS管的主要参数，当栅源电压UGs小于开启电压的时，场效应管不能导通。如3C03型P沟道增强型MOS管的开启电压为—2～—4V，3D06A型N沟道增强型MOS管的开启电压为2.5～5V。

2.夹断电压UP

UP是耗尽型MOS管的主要参数，当漏源电压UDs值一定时，栅源电压UGs=UP时，漏极电流为零。如3D01D型N沟道耗尽型MOS管的夹断电压为—9V。

3.饱和漏极电流/oss

Ipss是MOS耗尽型和结型场效应管，在栅源电压UGs=0时，所对应的漏极电流。如3D02D型N沟道耗尽型MOS管的饱和漏极电流为1～25mA，3D03C型N沟道增强型MOS管的饱和漏极电流为2～8mA。

4.直流输入电阻RGs

直流输入电阻RGs是栅源极之间的等效电阻。由于MOS管栅源极间有SiO2绝缘层，所以MOS场效应管的RGs可达109～1015Ω。

5.低频跨导gm

跨导gm反映了棚源电压Us对漏极电流b的控制作用（相当于普通晶体管的hFE），单位是mS（毫西）。如3D02D型N沟道耗尽型MOS管的低频跨导>4000mS，3D03C型N沟道增强型MOS管的低频跨导≤1000mS。

6.漏极功耗PDM

漏极功耗PDM=UDsxID，相当于普通三极管的PcM。如3D02D型N沟道耗尽型MO管的漏极功耗为100mW，3D03C型N沟道增强型MOS管的漏极功耗为150mW。

7.极限漏极电流

极限漏极电流Ip是漏极能够输出的电流，相当于普通三极管的IC，其值与温度有通常手册上标注的是温度为25℃时的值。一般指的是连续工作电流，若为瞬时工作电则标注为IDM，这个值通常大于ID。

8.漏源电压Uoss

漏源电压Uoss是场效应管漏源极之间可以承受的电压（相当于普通晶体管的反向工作电压UcEo），有时也用UDs表示。如3D02D型N沟道耗尽型MOS管的电压为25V，3D03C型N沟道增强型MOS管的漏源电压为150V。