RH1014M低功耗放大器(<1mA/放大器)参数介绍及中文PDF下载

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产品详情

RH1014M 是首款对采用工业标准 8 引脚 DIP LM124/LM148/OP-11/5156 引脚配置的设计进行直接升级的四通道精准运算放大器。低失调电压 (最大值为 300μV)、低漂移 (≤2.5μV/℃)、低失调电流 (≤1.5nA) 和高增益 (最小值为 120 万) 的组合使得 RH1014M 成为单个封装中的 4 个真正的精准放大器。

晶圆批次采用凌力尔特公司内部的 Class S 流程至良率电路进行处理，可在严格的军事应用中使用的。

应用

• 精密仪表放大器
• 应变仪信号调理器
• 热电偶放大器
• 4mA-20mA 电流回路发送器
• 多限制门限检测
• 有源滤波器
• 多增益部件

优势和特点

• 符合 MIL-PRF-38535 Class V 标准的版本 – 5962R89677
• –55 至 +125°C 温度范围内的保证性能
  • 输入失调电压：550&mICro;V
  • 低失调电压漂移： 2.5µV/°C
  • 低失调电流：20nA
• 增益带宽乘积：500kHz
• 最小转换速率：0.2/mS
• 低电流噪声：0.07pA/√Hz (典型值)
• 最大电源电流：每个放大器 0.7mA
• 电源电压 ±22V (绝对最大值)
• 差分输入电压 ±30V (绝对最大值)
• 单电源工作
• 采用陶瓷组件式封装 (CERPAC) 和陶瓷 DIP 封装

辐射性能

• 电离总剂量 (TID) 容限，依照 TM1019.8, MIL-STD-883 标准：
  • 200kRad (Si)，按照 50Rads(Si)/sec 时的条件 A
  • 50kRad (Si)，按照 10mRads(Si)/sec 时的条件 D
  • 低剂量率辐射损伤增强效应 (ELDRS) 超过 50kRad(Si)
• 同时也请参考 RH1013 产品网页以阅读辐射报告

RH1014M电路图

RH1014M中文PDF下载地址

RH1014M下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/RH1014M.pdf