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产品详情
ADRF5160 是一款硅基高功率 0.7 GHz 到 4.0 GHz 硅单刀双掷 (SPDT) 反射开关,采用无引线的表面安装式封装。此开关适用于高功率和蜂窝基础设施应用,例如长期演进 (LTE) 基站。ADRF5160 具有 41 dBm 的高功率处理能力(长期(>10 年)典型平均值 8 dB PAR LTE)、0.7 dB(典型值)至 2.0 GHz 的低插入损耗、70 dBm 的输入 3 阶交调点 (IP3)(典型值)和 47 dBm 的 0.1 dB 压缩点 (P0.1dB)。片内电路使用 5 V 的单一正电源工作,典型电源电流为 1.1 mA,使得 ADRF5160 成为基于 Pin 二极管的开关的理想替代方案。
ADRF5160 采用符合 RoHS 指令的紧凑式 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装。
应用
- 无线基础设施
- 军事和高可靠性应用
- 测试设备
- Pin 二极管替代方案
优势和特点
- 反射式 50 Ω 设计
- 低插入损耗:0.7 dB(典型值)至 2.0 GHz
- TCASE = 105°C 下具有高功率处理能力
- 长期(>10 年)平均值
- 连续波功率:43 dBm
- 峰值功率:49 dBm
- LTE 平均功率 (8 dB PAR):41 dBm
- 单一事件(<10 秒)平均值
- LTE 平均功率 (8 dB PAR):44 dBm
- 长期(>10 年)平均值
- 高线性度
- P0.1dB:47 dBm(典型值)
- IP3:70 dBm(典型值)
- ESD 额定值
- HBM:4 kV(3A 级)
- CDM:1.25 kV
- 单一正电源:5 V
- 正控制,CMOS/TTL 兼容
- 32 引脚 5 mm × 5 mm LFCSP 封装
ADRF5160电路图
ADRF5160中文PDF下载地址
ADRF5160下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/adrf5160.pdf