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产品详情
HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关,额定频率范围为100 MHz至 4 GHz。
HMC349AMS8G非常适合蜂窝基础设施应用,可实现57 dB高隔离、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP3和34 dBm高输入P1dB。
HMC349AMS8G采用3 V至5 V单正电源供电,提供CMOS/TTL兼容控制接口。
HMC349AMS8G采用带exposed pad的8引脚超小型封装。
应用
- 蜂窝/4G基础设施
- 无线基础设施
- 移动无线电
- 测试设备
优势和特点
- 非反射式50 Ω设计
- 高隔离度:57 dB至2 GHz
- 低插入损耗:0.9 dB至2 GHz
- 高输入线性度
- 1 dB功率压缩(P1dB):34 dBm(典型值)
- 三阶交调截点(IP3):52 dBm(典型值)
- 高功率处理
- 33.5 dBm(通过路径)
- 26.5 dBm端接路径 单正电源:3 V至5 V
- CMOS/TTL兼容控制
- 全部关断状态控制
- 带exposed pad的8引脚超小型封装(MINI_SO_EP)
HMC349AMS8G电路图
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HMC349AMS8G下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/HMC349AMS8G.pdf