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产品详情
HMC815B是一款紧凑的砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、单芯片微波集成电路(MMIC)上变频器，采用符合RoHS标准的封装，工作频率范围为21 GHz至27 GHz。该器件提供12 dB的小信号转换增益和20 dBc的边带抑制性能。HMC815B采用驱动放大器工作，前接由有源2×乘法器驱动LO的同相正交(I/Q)混频器。还提供IF1和IF2混频器输入，需通过外部90°混合选择所需的边带。I/Q混频器拓扑结构则降低了干扰边带滤波要求。
HMC815B为混合型单边带(SSB)下变频器的小型替代器件，它无需线焊，可以使用表贴制造技术。
HMC815B提供4.90 mm × 4.90 mm、32引脚LCC陶瓷封装，工作温度范围为−40°C至+85°C。如有需要，还可提供HMC815B评估板。
应用
- 点到点及点到多点无线电
- 军用雷达、电子战和电子情报
- 卫星通信
- 传感器
优势和特点
- 转换增益：12 dB（典型值）
- 边带抑制：20 dBc（典型值）
- OP1dB压缩：20 dBm（典型值）
- OIP3：27 dBm（典型值）
- 2× LO至RF隔离：10 dB（典型值）
- 2× LO至IF隔离：15 dB（典型值）
- RF回波损耗：12 dB（典型值）
- LO回波损耗：15 dB（典型值）
HMC815B电路图
HMC815B中文PDF下载地址
HMC815B下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/hmc815b.pdf
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