LTC4361相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,LTC4361供应信息可在查IC网搜索相关供应商。
产品详情
LTC®4361 过压 / 过流保护控制器可保护 2.5V 至 5.5V 系统免遭输入电源过压的损坏。它专为具有多种电源选项 (包括墙上适配器、汽车电池适配器和 USB 端口) 的便携式设备而设计。
LTC4361 用于控制一个与输入电源串联的外部 N 沟道 MOSFET。在过压瞬变期间,LTC4361 能在 1μs 的时间之内关断 MOSFET,从而将下游的组件与输入电源隔离开来。电感性电缆瞬变被 MOSFET 和负载电容所消减。在大多数应用中,LTC4361 可提供针对高达 80V 瞬态电压的保护作用,而无需使用瞬态电压抑制器或其他外部组件。
LTC4361 具有一种用于限制浪涌电流的延迟启动和可调 dV/dt 斜坡上升功能。一个 PWRGD 引脚提供了针对 VIN 的电源良好监视功能。LTC4361 具有一种受控于 ON 引脚的软停机功能,并驱动一个任选的外部 P 沟道 MOSFET 以提供负电压保护。在一个过压情况之后,LTC4361 将在一个启动延迟之后自动重新起动。在一个过流情况之后,LTC4361-1 保持关断状态,而 LTC4361-2 将在一个 130ms 的启动延迟之后自动重新起动。
Applications
- USB 保护
- 手持式计算机
- 蜂窝电话 / 智能手机
- MP3 / MP4 播放器
- 数码相机
优势和特点
- 2.5V 至 5.5V 工作电压
- 过压保护高达 80V
- 对于大多数应用无需使用输入电容器或 TVS (瞬态电压抑制器)
- 准确度为 2% 的 5.8V 过压门限
- 准确度为 10% 的 50mV 过流电路断路器
- <1μs 的过压关断时间,逐步式停机
- 控制 N 沟道 MOSFET
- 可调的上电 dV/dt 限制浪涌电流
- 反向电压保护
- 电源良好输出
- 低电流停机模式
- 在过流之后锁断 (LTC4361-1) 或自动重试 (LTC4361-2)
- 采用 8 引脚 ThinSOT™ 封装和 8 引脚 (2mm x 2mm) DFN 封装
LTC4361电路图
LTC4361中文PDF下载地址
LTC4361下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/LTC4361-1-4361-2.pdf