LTC4444-5高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载

LTC4444-5相关信息来自ADI官网，具体参数以官网公布为准,LTC4444-5供应信息可在查IC网搜索相关供应商。

产品详情

LTC^®4444-5 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。

LTC4444-5 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。

LTC4444-5 包含欠压闭锁电路，用于在器件启动时停用外部 MOSFET。LTC4444-5 还内置了自适应贯通保护功能，用于阻止两个 MOSFET 同时传导。

如需了解该产品系列的相似驱动器，请查阅下表。

参数	LTC4444-5	LTC4446	LTC4444
贯通保护功能	有	无	有
绝对最大TS	100V	100V	100V
MOSFET 栅极驱动电压	4.5V 至 13.5V	7.2V 至 13.5V	7.2V 至 13.5V
VCC UV+	4V	6.6V	6.6V
VCC UV–	3.5V	6.15V	6.15V

应用

• 分布式电源架构
• 汽车电源
• 高密度电源模块
• 电信系统

 

优势和特点

• 自举电源电压至 114V
• 宽 V_CC 电压：4.5V 至 13.5V
• 自适应贯通保护功能
• 1.4A 峰值顶端栅极上拉电流
• 1.75A 峰值底端栅极上拉电流
• 1.5Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻
• 0.75Ω 底端栅极驱动器下拉电阻
• 5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载
• 8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载
• 3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载
• 6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载
• 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
• 欠压闭锁功能
• 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装

 

LTC4444-5电路图

LTC4444-5中文PDF下载地址

LTC4444-5下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/44445fc.pdf