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产品详情
LTC®4444 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个同步 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。
LTC4444 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。
LTC4444 包含欠压闭锁电路，用于在器件启动时停用外部 MOSFET。LTC4444 还内置了自适应贯通保护功能，用于阻止两个 MOSFET 同时传导。
如需了解该产品系列的相似驱动器，请查阅下表。
| 参数 | LTC4444 | LTC4446 | LTC4444-5 |
| 贯通保护功能 | 有 | 无 | 有 |
| 绝对最大 TS | 100V | 100V | 100V |
| MOSFET 栅极 | 7.2V 至 13.5V | 7.2V 至 13.5V | 4.5V 至 13.5V |
| VCC UV+ | 6.6V | 6.6V | 4V |
| VCC UV－ | 6.15V | 6.15V | 3.55V |
应用
- 分布式电源架构
- 汽车电源
- 高密度电源模块
- 电信
优势和特点
- 自举电源电压至 114V
- 宽 VCC 电压：7.2V 至 13.5V
- 自适应贯通保护功能
- 2.5A 峰值 TG 上拉电流
- 3A 峰值 BG 上拉电流
- 1.2Ω TG 驱动器下拉电阻
- 0.55Ω BG 驱动器下拉电阻
- 5ns TG 下降时间驱动 1nF 负载
- 8ns TG 上升时间驱动 1nF 负载
- 3ns BG 下降时间驱动 1nF 负载
- 6ns BG 上升时间驱动 1nF 负载
- 可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET
- 欠压闭锁功能
- 耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装
LTC4444电路图