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LTC1477高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载

来源:ADI  作者:ADI官网   2020-04-27 阅读:968

LTC1477相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,LTC1477供应信息可在查IC网搜索相关供应商。

产品详情

LT®1477 / LTC1478 防护式高端开关提供了极低 RDS(ON) 开关切换,并具有针对短路和热过载情况的内置保护功能。一个内置充电泵可产生高于电源电压的栅极驱动电压,以全面强化内部 NMOS 开关。该开关没有寄生体二极管,因而当其断开和输出被强制高于输入电源电压时不会有电流流过开关。(DMOS 开关具有寄生体二极管,在此类情况下将被施加正向偏置。) 

LTC1477 / LTC1478 提供了两级保护。第一级保护是设定在 2A 的短路电流限制。利用功率器件的断接部分可以把短路电流减小到低至 0.85A (见 “应用信息”)。第二级保护由热过载保护功能电路提供,其可将芯片温度限制在大约 130ºC。 

LTC1477 单通道器件采用 8 引脚 SO 封装。LTC1478 双通道器件则采用 16 引脚 SO 封装。


应用

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