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LT1161高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载

来源:ADI  作者:ADI官网   2020-04-27 阅读:731

LT1161相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,LT1161供应信息可在查IC网搜索相关供应商。

产品详情

LT1161 是一款四通道高端栅极驱动器,它允许采用低成本 N 沟道功率 MOSFET 来满足高端开关应用的需要。该器件具有 4 个独立的开关通道,这些通道各包含一个完全独立的充电泵,用于在不使用外部组件的情况下全面强化一个 N 沟道 MOSFET 开关。

另外,在每个开关通道中还包括一个用于检测开关电流的漏极检测比较器。当开关电流超过预设水平时,开关被关断。开关将在由一个外部定时电容器设定的一段时间里保持关断状态,随后自动地尝试重新启动。如果故障仍然存在,则该循环将重复进行,直到故障被清除为止,从而起到保护 MOSFET 的作用。 

LT1161 专为那些有可能存在不良电源调节和 / 或瞬变的严酷工作环境而特别设计,例如:工业、航空电子和汽车应用。–15V 至 60V 的电源电压瞬变将不会对该器件造成损坏。



应用

  • 工业控制
  • 航空电子系统
  • 汽车开关
  • 步进式电动机和 DC 电动机控制
  • 电子电路断路器

优势和特点

  • 8V 至 48V 电源范围
  • 提供了针对 –15V 至 60V 电源瞬变的保护
  • 全面强化了 N 沟道 MOSFET 开关
  • 个别短路保护
  • 个别自动重启定时器
  • 可编程电流限制、延迟时间和自动重启周期
  • 电压受限的栅极驱动
  • 在输入开路的情况下默认为 OFF 状态
  • 直通式输入至输出引出脚配置
  • 采用 20 引脚 DIP 封装或 SOL 封装

LT1161电路图

LT1161

LT1161中文PDF下载地址

LT1161下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/1161fa.pdf

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