LTC1157高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载

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产品详情

LTC^®1157 双通道 3.3V 微功率 MOSFET 栅极驱动器使得能够通过一个低 R_DS(ON) N 沟道开关 (在 3.3V 时需要采用 N 沟道开关，因为 P 沟道 MOSFET 在 V_GS ≤ 3.3V 时不具备有保证的 R_DS(ON)) 切换电源或接地参考负载。LTC1157 的内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上达 5.4V (比地电位高 8.7V)，从而全面地强化了一个逻辑电平 N 沟道开关 (对于 3.3V 高压侧应用) 和一个标准 N 沟道开关 (对于 3.3V 低压侧应用)。在 5V 时的栅极驱动电压通常高于电源达 8.8V (比地电位高 13.8V)，因此标准 N 沟道 MOSFET 开关可用于高压侧和低压侧应用。 

微功率操作 (具有 3μA 待用电流和 80μA 工作电流) 使 LTC1157 非常适合电池供电型应用。

LTC1157 可提供 8 引脚 DIP 封装 SOIC 封装。

应用

• 笔记本电脑电源管理
• 掌上型电脑电源管理
• 替代 P 沟道开关
• 电池充电和管理
• 混合式 5V 和 3.3V 电源切换
• 步进电机和 DC 电机控制
• 蜂窝电话和寻呼机
  
  

优势和特点

• 可提供最低压降 3.3V 电源切换
• 可依靠 3.3V 或 5V 标称电源工作
• 3μA 待用电流
• 80μA 导通电流
• 驱动低成本 N 沟道功率 MOSFET
• 无外部充电泵组件
• 受控接通和关断时间
• 可兼容 3.3V 或 5V 逻辑器件系列
• 采用 8 引脚 SOIC 封装
  
  

LTC1157电路图

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