LTC1155高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载

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产品详情

The H (metal Can), J (CeramIC), and K (metal Can) Packages From Linear Technology Are Now Obsolete

LTC^®1155 双通道高端栅极驱动器允许在高端开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上，从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOSFET。微功率操作 (具有 8μA 待机电流和 85μA 工作电流) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现最高的效率。

在该芯片上集成了过流检测功能电路，以在发生短路时提供自动停机。可以增加一个与电流检测相串联的延时，以防止在高浪涌电流负载 (例如：电容器和白炽灯) 上引起误触发。

LTC1155 采用一个 4.5V 至 18V 电源输入运作，并可安全地驱动几乎所有 FET 的栅极。LTC1155 非常适合于低电压 (电池供电型) 应用，特别是在需要微功率“睡眠”操作的场合。

LTC1155 可提供 8 引脚 PDIP 封装和 8 引脚 SO 封装。

应用

• 笔记本电脑电源总线切换
• SCSI 终端电源转换
• 蜂窝电话电源管理
• 替代 P 沟道开关
• 继电器和螺线管驱动器
• 低频半 H 桥
• 电机转速和转矩控制

优势和特点

• 全面强化了 N 沟道功率 MOSFET
• 8μA 待机电流
• 85μA 导通电流
• 短路保护
• 宽电源范围：4.5V 至 18V
• 受控接通和关断时间
• 无外部充电泵组件
• 可替代 P 沟道高端 MOSFET
• 可兼容标准逻辑器件系列
• 采用 8 引脚 SO 封装

LTC1155电路图

LTC1155中文PDF下载地址

LTC1155下载链接地址：https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/LTC1155.pdf