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LTC1156高压侧开关和MOSFET驱动器参数介绍及中文PDF下载

来源:ADI  作者:ADI官网   2020-04-27 阅读:247

LTC1156相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,LTC1156供应信息可在查IC网搜索相关供应商。

产品详情

LTC®1156 四通道高压侧栅极驱动器允许在高压侧开关应用中使用低成本的 N 沟道 FET。一个内部充电泵把栅极驱动电压提升至正电源轨以上,从而在未使用任何外部组件的情况下全面地强化了一个 N 沟道 MOS 开关。微功率操作 (具有 16μA 待用电流和 95μA 工作电流) 使其在几乎所有系统中使用时都能够实现最高的效率。

在该芯片内集成了独立的过流检测功能电路,以在发生短路时提供自动停机。可以给电流检测增添一个延时,以防止在高浪涌电流负载上引起误触发。

LTC1156 采用一个 4.5V 至 18V 电源供电工作,而且非常适合电池供电型应用,特别是在需要执行微功率“睡眠”操作的场合。

LTC1156 可提供 16 引脚 DIP 封装和 16 引脚 SOL 封装。

应用
  • 笔记本电脑电源切换
  • SCSI 终端电源切换
  • 蜂窝电话电源管理
  • 替代 P 沟道开关
  • 电池充电和管理
  • 低频 H 桥驱动器
  • 步进电机和 DC 电机控制

优势和特点

  • 无外部充电泵组件
  • 全面强化了 N 沟道功率 MOSFET
  • 16μA 待用电流
  • 95μA 导通电流
  • 宽电源范围:4.5V 至 18V
  • 受控接通和关断时间
  • 可替代 P 沟道高压侧开关
  • 可兼容标准逻辑器件系列
  • 采用 16 引脚 SOL 封装

LTC1156电路图

LTC1156

LTC1156中文PDF下载地址

LTC1156下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/lt1156.pdf

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