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ADG5433闩锁效应抑制和高ESD开关和多路利用器参数介绍及中文PDF下载

来源:ADI  作者:ADI官网   2020-04-27 阅读:534

ADG5433相关信息来自ADI官网,具体参数以官网公布为准,ADG5433供应信息可在查IC网搜索相关供应商。

产品详情

ADG5433和ADG5434均为单芯片工业CMOS模拟开关,分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。

所有通道均采用先开后合式开关,防止开关通道时发生瞬时短路。 ADG5433(LFCSP和TSSOP封装)提供EN输入,用来使能或禁用器件。 禁用时,所有通道均关断。

这些开关具有超低导通电阻和导通电阻平坦度,对于低失真性能至关重要的数据采集和增益切换应用堪称理想解决方案。

应用
继电器替代方案
自动测试设备
数据采集
仪器仪表
航空电子
音频和视频开关
通信系统

产品特色
- 沟道隔离可防止闩锁。电介质沟道将P沟道与N沟道晶体管分开,保证即使在严重过压状况下,也不会发生闩锁现象。
- 低导通电阻RON
- 双电源供电。 对于双极性模拟信号应用,ADG5433/ADG5434可以采用最高±22 V的双电源供电。
- 单电源供电。 对于单极性模拟信号应用,ADG5433/ADG5434可以采用最高40V的单电源供电。
- 3 V 逻辑兼容数字输入:VINH = 2.0 V, VINL = 0.8 V.
- 无需 VL 逻辑电源。

优势和特点

  • 防闩锁
  • 8 kV HBM ESD
  • 低导通电阻:13.5 Ω
  • ±9 V至±22 V双电源供电

ADG5433电路图

ADG5433

ADG5433中文PDF下载地址

ADG5433下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADG5433_5434.pdf

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