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产品详情
ADG1411/ADG1412/ADG1413均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,内置四个采用 iCMOS® 工艺设计的独立可选开关。iCMOS(工业CMOS)是一种模块式制造工艺,集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC,并实现以往的高压器件所无法实现的尺寸。与采用传统CMOS工艺的模拟IC不同, iCMOS器件不但可以承受高电源电压,同时还能提升性能、大幅降低功耗并减小封装尺寸。
导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦,可确保切换信号时拥有出色的线性度和低失真性能。
iCMOS结构可确保功耗极低,因而这些器件非常适合便携式电池供电仪表。
ADG1411/ADG1412/ADG1413均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1411与ADG1412的唯一不同是数字控制逻辑相反。
ADG1411开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0,而ADG1412开关接通则为逻辑1。ADG1413有两个开关的数字控制逻辑与ADG1411相似,但其它两个开关的控制逻辑则相反。当接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下,等于电源电压的信号电平被阻止。
ADG1413为先开后合式开关,适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性,当切换数字输入时,可实现最小的瞬变。
产品聚焦
优势和特点
- 导通电阻:1.5 Ω
- 导通电阻平坦度:0.3 Ω
- 通道间导通电阻匹配:0.1Ω(最大值)
- 每个通道的连续电流
LFCSP封装:250 mA
TSSOP封装:190 mA - 额定电源电压:+12 V、±15 V和±5 V
ADG1411电路图
ADG1411中文PDF下载地址
ADG1411下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADG1411_1412_1413.pdf
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