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ADG636双电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载

来源:ADI  作者:ADI官网   2020-04-27 阅读:346

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产品详情

ADG636是一款单芯片器件,内置两个独立可选的CMOS单刀双掷(SPDT)开关。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同。

ADG636采用±2.7 V至±5.5 V双电源或+2.7 V至+5.5 V单电源供电。

此开关在整个信号范围内具有±1.5 pC的超低电荷注入,25°C时的典型漏电流为10 pA。此外,它的典型导通电阻为85 Ω,两个通道间的匹配在2 Ω以内。它还具有低功耗和高开关速度特性。

ADG636为先开后合式开关,采用14引脚TSSOP封装。

产品聚焦
1. 超低电荷注入。QINJ:±1.5 pC(典型值,整个信号范围)
2. 漏电流<0.25 nA(最大值,85ºC)
3. 双电源(±2.7 V至±5 V)或单电源(+2.7 V至+5.5 V)供电
4. 汽车应用温度范围:−40°C至+125°C
5. 小型14引脚TSSOP封装

应用
- 自动测试设备
- 数据采集系统
- 电池供电仪表
- 通信系统
- 采样保持系统
- 远程供电设备
- 音频和视频信号路由
- 继电器替代方案
- 航空电子

优势和特点

  • 1 pC 电荷注入
  • ±2.7 V至±5.5 V双电源供电
  • +2.7 V至+5.5 V单电源供电
  • 汽车应用温度范围:
    –40°C 至 +125°C
  • 100 pA(最大值,25°C)漏电流
  • 导通电阻:85 Ω典型值
  • 轨到轨工作
  • 快速开关时间
  • 典型功耗:<0.1 μW
  • TTL/CMOS兼容型输入
  • 14引脚TSSOP封装

ADG636电路图

ADG636

ADG636中文PDF下载地址

ADG636下载链接地址:https://www.analog.com/media/en/technical-documentation/data-sheets/ADG636.pdf

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