什么是晶体管？负载开关

关于负载开关ON时的浪涌电流

负载开关Q1导通瞬间会暂时流过比稳态电流大得多的电流。输出侧的负载容量C_L的电荷接近零时，向输出V_O施加电压的瞬间会流过大充电电流。
这种流过大电流的现象称作浪涌电流（Flash Current）。
浪涌电流的峰值大体可以通过输入电压V_I、MOSFET Q1的R_DS(on)和负载侧负载容量C_L的ESR确定，输入电压V_IN变大时，电流也相应变大。
浪涌电流显著变大时，有可能会引起误动作和系统问题。
而且，在超过最大额定电流时，有导致破坏的危险。通过与MOSFET Q1的栅极、源极间电阻R₁并联追加电容器C2， 并缓慢降低Q1的栅极电压，可以缓慢地使R_DS(on)变小，从而可以抑制浪涌电流。

■负载开关等效电路图

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关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施

■Nch MOSFET负载开关等效电路图

Nch MOSFET 负载开关：RSQ020N03
V_IN=5V, I_O=1A,　Q1_1G=1V→12V

• Q2 OFF时，负载SWQ1 ON。（Q1的栅极电压设定在V_O(V_GSQ1)之上。）
• Q2 ON时，负载SWQ1 OFF。
• Q1 ON时，由于会流过浪涌电流，所以作为应对措施追加C2。

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关于负载开关OFF时的逆电流

即使在负载开关Q1从ON到OFF时，由于存在输出侧负载容量CL，所以输出V_O引脚的电压会残留一定时间。
输入V_I侧比输出V_O侧电压低时，由于MOSFET Q1的漏极、源极间存在寄生二极管，所以有时寄生二极管导通会发生从输出V_O侧到输入V_IN侧的逆电流。
要注意，不要超过MOSFET Q1的额定电流值。
关于输入旁路电容器C_IN的容量值，请在充分探讨负载侧条件、上升时间后再决定。