Mask ROM存储单元构成
- 高度集成化的NAND构成。（1个晶体管单元）
数据的写入方法
在Wafer过程内写入信息
- "1"：将离子注入晶体管
- "0"：不注入离子
数据的读取方法
使读取单元的Word线电位为0V
使读取单元以外的Word线电位为Vcc
→ 对Bit线施加电压，
如果有电流流过，则判断为"1"
一站式电子元器件IC交易网
诚信 · 透明 · 可靠
诚信 · 透明 · 可靠
免责声明：
以上相关内容来自互联网公开信息分享；如涉及内容、版权、图片等问题，请联系我们。会第一时间删除！
周一至周五
09:00 - 17:30
客服微信
查ic网订阅号
