主要部件的选型：输出整流二极管 D4

本文将介绍输出整流二极管的选型。

输出整流二极管 D4

输出整流二极管也称为“Catch Diode ”或“Freewheeling Diode”。另外，在同步整流型二极管中，这种二极管被替换为晶体管，就是被称为“低边开关”等的部分。

如右侧电路图所示，输出二极管D4由输出端连接至GND。当高边MOSFET关断时，电感中积蓄的能量经由D4输出。

输出二极管的常数计算

输出整流二极管利用开关频率来导通/关断，所以使用可高速开关的快速恢复二极管。需要探讨的是耐压和损耗。

施加于输出二极管的反向电压考虑到余量为：

  Vdr = VIN (max)÷0.7 = 372V÷0.7 = 531V →　600V

二极管的损耗估算如下：

  Pd = V_F×I_out = 1V×0.2A = 0.2W

二极管使用RFN1L6S（电路图中有指定）。

下面是快速恢复二极管 RFN1L6S的规格值表和V_F-I_F特性。此次有电路示例，所以没有必要进行实际的二极管选型，不过机会难得，就当通过搜索或其他什么手法选中了RFN1L6S作为600V耐压、0.2A以上的二极管来探讨吧。

在耐压方面，V_R、V_RM都是最大额定600V，与计算出的值一致。I_O为0.8A，在能力方面对于实际的Iout 0.2A来说具有相当大余量，不过考虑到容许功率，是可以具备这个程度的余量的。另外，不一定有完全符合设计规格的变化。或者说，可能“正好”的情况很少。不管怎样，需要在近似且有余量的情况下适当妥协。

还有，之所以记载了V_FｰI_F特性，是因为通过计算V_F为1V，可规格中规定最大1.45V、Typ 1.15V，是为了向有“按1V计算可以吗？”疑问的人解释。I_F＝0.8A是V_F的条件。实际使用时的I_F为0.2A，所以从曲线图中可以看出，求0.2A时的V_F时，在最恶劣的温度条件下也在1V以下。也就是说，这个计算是使用与实际条件接近的数值进行的。

至于余量保持多大为好，这取决于经验。余量过大会造成过度设计，导致成本和尺寸增加，事实上恰当的判断是很难的。最终还是需要积累经验。

虽然说经验很重要，不过在实际使用的条件下确认损耗和结温是必须环节。