故障排除(Trouble Shooting) ③：当VDS2受浪涌影响超过二次侧MOSFET的VDS耐压时

继故障①“当二次侧MOSFET立即关断时”、故障②“当二次侧MOSFET在轻负载时因谐振动作而导通时”之后，本文将介绍故障③“当V_DS2受浪涌影响超过二次侧MOSFET的V_DS耐压时”的对策及其注意事项。

故障③：当V_DS2受浪涌影响超过二次侧MOSFET的V_DS耐压时

对策

针对这种故障③的对策有三种左右，但与故障①和②一样，各对策都存在需要权衡的注意事项。下面是对策及其注意事项一览表。

※针对故障③，使用编号“对策③-n”来表示其对策。

●对策③-1：在二次侧MOSFET的漏极－源极间插入电容

通过在二次侧MOSFET的漏极－源极间插入电容器C_DS2，可缓和V_DS2的过冲。C_DS2的可选范围为1000pF～6800pF左右（参考值），需要通过确认对策效果来选择最佳的电容。下图是C_DS2在电路图上的插入位置和实施对策后的波形。

※注意事项：在发生谐振的区域（无负载～轻负载）插入的电容会导致效率变差，因此需要进行特性确认，在过冲的缓和程度和效率之间找到折中方案

●对策③-2：加大一次侧MOSFET的栅极阻值

通过加大一次侧MOSFET M1的栅极电阻R_GATE1的值，延迟VGS1的上升时间（使之迟缓），可抑制急剧上升带来的浪涌，从而抑制二次侧V_DS2的过冲。下图是表示R_GATE1和对策后效果的波形图。R_GATE1的值为10～470Ω左右（参考值）。

※注意事项：加大R_GATE1的值可导致效率变差，另外一次侧MOSFET M1的发热量可能会增加，因此需要进行特性确认。这也需要针对效率、发热量及减少过冲之间的情况进行权衡调整。

●对策③-3：减小变压器的匝比Ns/Np

可通过减小变压器的匝比来使V_DS2的振幅衰减。

※注意事项：虽然V_DS2会衰减，但一次侧MOSFET的V_DS1反而会变大（参见对策实施后的波形图）。因此，需要调整变压器的匝比，以确保V_DS1不超过一次侧MOSFET M1的V_DS额定值。

可能会发生的故障示例及其对策和注意事项的介绍到此结束。