Features:
- Input : Vin=800Vdc
- Output : Vo=12Vdc
Io=50Adc
- GateDrive : Vd=18V
R source=5Ω
R sink=2Ω - Q1,Q2,Q3,Q4 : SCT3160KL
SIC MOSFET (1200V 17A)
- D1,D2 : RB238T100
SBD (40V 20A)
- L1 : 20uH, L2 : 10uH
- Tj : 100°C
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