Features:
- Input : Vin=800V
- Output : Vo=25V
Io=10A
- GateDrive : Vd=18V
R source=5Ω
R sink=2Ω - Q1 : SCT2450KE
SIC MOSFET (1200V 10A)
- D1 : SCS320AHG
SiC SBD (650V 20A)
- D2 : SCS205KG
SiC SBD (1200V 5A)
- C1 : 10nF, C2 : 100uF
- Tj : 100°C
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