Features:
- Input : Vin=800V
- Output : Vo=250V
Io=40A
- GateDrive : Vd=18V
R source=5Ω
R sink=2Ω - Q1 : SCT3080KL
SIC MOSFET (1200V 31A)
- D1 : SCS220KG
SiC SBD (1200V 20A)
- L1,L2 : 200uH
- C1 : 10uF
- Tj : 100°C