什么是晶体管？MOSFET特性
关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和温度特性关于MOSFET的寄
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1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si
2020-09-18 15:27:27■引脚二极管举例结构符号用途・特征高频信号开关→手机等衰减器和AGC ※ 电路用可变电阻元件※AGC: Automatic Gain Control（自
2020-09-18 15:27:26结构符号用途・特征恒压电路防止IC免受浪涌电流、静电损坏的保护元件施加反向电压时产生恒压。齐纳二极管利用电流变化时电压恒定
2020-09-18 15:27:24结构符号用途・特征对电源部的二次侧起到整流作用。低VF（低损耗）、IR大。开关速度快。一般的二极管是利用PN接合来发挥二极管特
2020-09-18 15:27:23结构符号用途・特征用于各种设备的开关。开关速度：向恢复时间 (trr) 短。顾名思义，是指具有开关功能的二极管。此二极管具有正
2020-09-18 15:27:22结构符号用途・特征对电源部的一次侧起到整流作用。容易获得1A以上、400V/600V的高耐压。整流二极管 (Rectifier Diode) 顾名思义
2020-09-18 15:27:211. 按频率分类2. 按结构分类3. 按正向电流的大小分类4. 按集成度分类5. 按形状分类二极管有按使用回路的功能和制品的大小所要求
2020-09-18 15:27:20关于负载开关ON时的浪涌电流 关于Nch MOSFET负载开关ON时的浪涌电流应对措施 关于负载开关OFF时的逆电流 关于负载开关ON时的浪涌
2020-09-18 15:27:19结点温度的计算方法1：根据周围温度（基本）结点温度的计算方法2：根据周围温度（瞬态热阻）结点温度的计算方法3：根据管壳温度
2020-09-18 15:27:17判定前：晶体管的选定～贴装的流程晶体管可否使用的判定方法1. 测定实际的电流、电压波形2. 是否一直满足绝对最大额定值？3. 是
2020-09-18 15:27:15何谓总栅极电荷（Qg）？"总栅极电荷（Qg）是指为导通（驱动）MOSFET而注入到栅极电极的电荷量。有时也称为栅极总电荷。"单位为库
2020-09-18 15:27:14何谓导通电阻？MOSFET工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻 （RDS(ON)）。数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。
2020-09-18 15:27:13选定方法数字晶体管的型号说明IO和IC的区别GI和hFE的区别VI(on)和VI(off)的区别关于数字晶体管的温度特性关于输出电压 - 输出电
2020-09-18 15:27:10关于晶体管ON时的逆向电流关于封装功率容许功fT: 增益带宽积、截止频率关于晶体管ON时的逆向电流在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置
2020-09-18 15:27:09晶体管的代表形状晶体管分类图：按照该分类，掌握其种类1. 按结构分类根据工作原理不同分类，分为双极晶体管和单极晶体管。双极
2020-09-18 15:27:08晶体管概述的1. 1948年、在贝尔电话研究所诞生。1948年，晶体管的发明给当时的电子工业界来带来了前所未有的冲击。而且，正是这
2020-09-18 15:27:071. 真空管以前・・・2. 鍺，接下来硅3. 从PN结合诞生的整流效果4. 二极管就是开关5. 结合构造也有多样6. 顺方向特性和逆方向特性
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关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和温度特性关于MOSFET的寄
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今年我国迎来了5G手机爆发之年。据市场调查公司分析，2020上半年我国本土5G手机品牌就已占了全球75%的份额。相信很多消费者也在
2020-09-18 09:05:13周一至周五
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