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  • 何谓半导体存储器? 何谓半导体存储器

    半导体存储器是指通过对半导体电路加以电气控制,使其具备数据存储保持功能的半导体电路装置。与磁盘和光盘装置等相比,具有数据

    2020-09-18 15:34:04
  • MAX32670可节省40%的能耗和50%的空间,集成ECC保护存储器,有效提高设备正常运行时间
    MAX32670可节省40%的能耗和50%的空间,集成ECC保护存储器,有效提高设备正常运行时间

    Maxim Integrated Products, Inc 近日宣布推出MAX32670低功耗Arm®Cortex®-M4微控制器(MCU),器件带有浮点运算单元,在有效降低

    2020-06-28 09:44:14
  • LTC3831DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载
    LTC3831DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载

    LTC®3831 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外,该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流,因而能够在…

    2020-04-27 15:07:05
  • LTC3717DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载
    LTC3717DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载

    LTC®3717 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构以提供非常低的占空比,并不需要使用一个检测电阻器。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 的变化进行补偿。强制连…

    2020-04-27 15:06:57
  • LTC3413DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载
    LTC3413DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载

    LTC®3413 是一款采用恒定频率电流模式架构的高效单片同步降压型 DC/DC 转换器。它可在 2.25V 至 5.5V 的输入电压范围内工作,并能在供应或吸收高达 3A 的输出电流的同时提供一个大小为 0.5V * VREF 的已调输出电压。由于采用了一个内部分压器,所以减少了组件数目,…

    2020-04-27 15:06:19
  • LTC3718DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载
    LTC3718DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载

    LTC®3718 是一款用于 DDR 和 QDR™ 存储器终端的高电流、高效率同步开关稳压控制器。该器件采用一个低至 1.5V 的输入工作,并提供一个等于 (0.5)VIN 的稳定输出电压。该控制器采用一种谷值电流控制架构以实现高工作频率和非常低的接通时间,而无需使用一个检测电阻…

    2020-04-27 15:06:04
  • LTC3717-1DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载
    LTC3717-1DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载

    LTC®3717-1 是一款用于双倍数据速率 (DDR) 和四倍数据速率 (QDR) 存储器终端的同步降压型开关稳压控制器。该控制器采用一种谷值电流控制架构,以在采用和未采用检测电阻器的情况下提供非常低的占空比。工作频率利用一个外部电阻器来选择,并针对 VIN 和 VOUT 中的变…

    2020-04-27 15:04:57
  • LTC3831-1DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载
    LTC3831-1DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载

    LTC®3831-1 是一款专为 DDR 存储器终端而设计的高功率、高效率开关稳压控制器。LTC3831-1 可产生一个等于 1/2 外部电源或基准电压的输出电压。LTC3831-1 采用同步开关架构和 N 沟道 MOSFET。此外,该芯片还可通过上端 N 沟道 FET 的漏-源极电阻来检测输出电流,因而…

    2020-04-27 15:04:31
  • LTC3776DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载
    LTC3776DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载

    LTC®3776 是一款面向 DDR/QDR 存储器终端应用的两相、双输出同步降压型开关稳压控制器。第二个控制器负责将其输出电压调节至 1/2 VREF,并提供了对称的输出电压供应和吸收能力。 无检测电阻器 (No RSENSE) 型恒定频率电流模式架构免除了增设检测电阻器的需要,并改…

    2020-04-27 15:04:24
  • LTC3612DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载
    LTC3612DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载

    LTC®3612 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 70μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在停机模式中电流降至零。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3612 非常…

    2020-04-27 14:59:16
  • LTC3616DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载
    LTC3616DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载

    LTC®3616 是一款低静态电流、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。睡眠模式中的无负载 DC 电源电流仅为 70μA,并在无负载条件下保持了输出电压 (突发模式操作),在停机模式中降至零电流。2.25V 至 5.5V 的输入电源电压范围使 LTC3616 非常…

    2020-04-27 14:59:06
  • LTC3876DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载
    LTC3876DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载

    LTC®3876 是一款完整的 DDR 电源解决方案,可兼容 DDR1、DDR2、DDR3 及未来的较低电压 DDRX标准。LTC3876 包括 VDDQ 和 VTT DC/DC 控制器和一个高精度线性 VTT 基准。一个差分输出检测放大器与高精度的内部基准相组合,可提供一个准确的 VDDQ 电源。VTT 控制器负责…

    2020-04-27 14:58:23
  • LTC3617DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载
    LTC3617DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载

    LTC®3617 是一款高效率、单片式、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。该器件的工作输入电压范围为 2.25V 至 5.5V,并提供了一个等于 0.5 • VDDQIN 的稳定输出电压,同时可供应和吸收高达 6A 的负载电流。内部放大器可提供一个等于 0.5·VDDQIN 的 …

    2020-04-27 14:57:56
  • LTC3634DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载
    LTC3634DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载

    LTC®3634 是一款高效率、双通道、单片式、同步降压型稳压器,可为 DDR1、DDR2 和 DDR3 SDRAM 控制器提供电源及总线终端电压轨。该器件的工作输入电压范围为 3.6V 至 15V,从而使其适合于那些采用一个 5V 或 12V 输入的负载点电源应用以及各种电池供电型…

    2020-04-27 14:57:48
  • LTC3618DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载
    LTC3618DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载

    LTC®3618 是一款双通道、同步降压型稳压器,采用一种电流模式、恒定频率架构。该器件提供了一款完整的 DDR 解决方案,具有一个 2.25V 至 5.5V 的输入电压范围。第一个降压型稳压器的输出提供了一个高准确度的 VDDQ 电源。一个缓冲基准可产生等于 50% VDDQIN 的 VTTR…

    2020-04-27 14:57:44
  • LTM4632DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载
    LTM4632DDR存储器/总线端接参数介绍及中文PDF下载

    LTM®4632 是一款超薄的三路输出降压型 μModule® (电源模块) 稳压器,可提供用于 DDR-QDR4 SRAM 的完整电源解决方案。LTM4632 可在一个 3.6V 至 15V 的输入电压范围内运作,支持两个用于 VDDQ 和 VTT 的 ±3A 输出电源轨 (两者均可吸收和提供电流) 和一个 10mA 低…

    2020-04-27 14:51:42
  • LTC1262快闪存储器编程参数介绍及中文PDF下载
    LTC1262快闪存储器编程参数介绍及中文PDF下载

    LTC®1262 是一款稳定的 12V、30mA 输出 DC/DC 转换器。该器件专为提供对字节宽闪速存储器进行编程所必需的 12V ±5% 输出而设计。输出将从低至 4.75V 的输入电压提供高达 30mA 电流,并未采用任何电感器。只需 4 个外部电容器即可构成一款尺寸极小的完整表面贴装型…

    2020-04-27 14:47:19
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