浪涌抑制电路
在上一篇文章中,简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始,将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的
2021-09-01 10:10:38在上一篇文章中,简单介绍了SiC功率元器件中栅极-源极电压中产生的浪涌。从本文开始,将介绍针对所产生的SiC功率元器件中浪涌的
2021-09-01 10:10:38MOSFET和IGBT等功率半导体作为开关元件已被广泛应用于各种电源应用和电力线路中。其中,SiC MOSFET在近年来的应用速度与日俱增,
2021-06-01 14:16:30上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间
2021-06-01 14:16:19上一篇文章中,简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细
2021-06-01 14:16:14意法半导体发布了紧凑的高压栅极驱动器STGAP2HS,适用于栅极驱动侧与低压控制接口电路之间要求6kV电隔离的应用场景。这款1200V器
2021-06-01 14:15:30意法半导体推出一款75V以下低压工业应用高集成度三相半桥驱动器IC,这是一个节省空间、节能高效的电机控制解决方案,适用于控制
2021-06-01 14:14:49STGAP2SiCS是意法半导体STGAP系列隔离式栅极驱动器的最新产品,可安全地控制碳化硅(SiC) MOSFET,工作电源电压高达1200V。STGAP2
2021-06-01 14:12:41近年来科学界对电解质栅控晶体管及其在人工神经网络应用方面的研究取得了一定进展,但研究成果主要集中在单个器件的性能验证,在
2020-11-12 16:07:02据国外媒体报道,在5nm工艺今年一季度投产,为苹果等客户代工最新的处理器之后,芯片代工商台积电下一步的工艺研发重点就将是更
2020-09-23 13:43:54上一篇文章中,介绍了在探讨输出电流较大的应用时应该注意的两个注意事项中的第一项。关键要点是要想提高输出电流,需要使用导通
2020-09-18 16:02:31本文将探讨功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗,即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。栅极电荷损耗栅极电荷损耗是由该
2020-09-18 16:02:04本文开始探讨同步整流降压转换器的损耗。首先,我们来看一下同步整流降压转换器发生损耗的部位。然后,会对各部位的损耗进行探讨
2020-09-18 16:01:51本文是分两次介绍噪声对策的第二次介绍。本次要介绍的对策是通过增加降噪电路或增加部件来降低噪声的三个方法。降压型转换器工作
2020-09-18 16:00:28在本文中,将对用来将输出信号反馈给电源IC的FB引脚的布线进行说明。降压型转换器工作时的电流路径开关节点的振铃输入电容器和二
2020-09-18 16:00:17本文将对电源IC BD7682FJ的外置MOSFET的开关调整部件和调整方法进行介绍。MOSFET栅极驱动调整电路:R16、R17、R18、D17为了优化
2020-09-18 15:57:06本文将从设计角度首先对在设计中使用的电源IC进行介绍。如“前言”中所述,本文中会涉及“准谐振转换器”的设计和功率晶体管使用
2020-09-18 15:56:38在“主要部件的选定-MOSFET相关 其1”中选定MOSFET Q1,接下来将建构MOSFET外围的电路。首先,来重温电路工作。以D4、R5、R6调
2020-09-18 15:55:50继上一篇MOSFET的开关特性之后,本篇介绍MOSFET的重要特性–栅极阈值电压、ID-VGS特性、以及各自的温度特性。MOSFET的VGS(t
2020-09-18 15:50:39在上一篇文章中,对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。本文将介绍在SiC MOSFET
2020-09-18 15:50:15本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。SiC MOSFET
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