应对3D NAND新挑战,泛林Striker ICEFill电介质填充技术
对3D NAND、DRAM和逻辑芯片制造商来说,高深宽比复杂架构下的填隙一直是一大难题。对此,泛林集团副总裁兼电介质原子层沉积(ALD)
2021-02-23 10:16:52对3D NAND、DRAM和逻辑芯片制造商来说,高深宽比复杂架构下的填隙一直是一大难题。对此,泛林集团副总裁兼电介质原子层沉积(ALD)
2021-02-23 10:16:523D闪存堆叠技术的应用已经有一段时间了,从2013年8月以来,3D NAND存储器就已经成功地投入了市场。所谓堆叠,像积木一样一层层的
2020-11-26 09:26:17