ADG413双电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载
ADG413是一款单芯片CMOS器件,内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计,具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG413有两个开关的接通条件是相关控制输入为逻辑高电平,而其它两个开关的控制逻辑则相反。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同…
2020-04-27 15:24:23ADG413是一款单芯片CMOS器件,内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计,具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 ADG413有两个开关的接通条件是相关控制输入为逻辑高电平,而其它两个开关的控制逻辑则相反。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同…
2020-04-27 15:24:23ADG409是一款单芯片CMOS模拟多路复用器,内置4个差分通道。它根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址,将4路差分输入之一切换至公共差分输出。该器件提供EN输入,用来使能或禁用器件。禁用时,所有通道均关断。ADG409采用增强型LC2MOS工艺设计,具有低功耗、高开关速…
2020-04-27 15:24:09ADG412是一款单芯片CMOS器件,内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS工艺设计,具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。ADG412开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。所…
2020-04-27 15:24:04ADG453是一款单芯片CMOS器件,内置四个独立可选的开关。它采用增强型LC2MOS 工艺设计,具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。ADG453有两个开关的接通条件是相关控制输入为逻辑高电平,而其它两个开关的控制逻辑则相反。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,…
2020-04-27 15:23:54ADG713是一款单芯片CMOS器件,内置四个独立可选的开关。它采用先进的亚微米工艺设计,具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。ADG713采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电,非常适合用在电池供电仪表中,以及配合Analog Devices, Inc.(简称ADI)的新…
2020-04-27 15:23:49ADG712是一款单芯片CMOS器件,内置四个独立可选的开关。它采用先进的亚微米工艺设计,具有低功耗、高开关速度、低导通电阻、低泄漏电流和高带宽特性。ADG712采用+1.8 V至+5.5 V单电源供电,非常适合用在电池供电仪表中,以及配合Analog Devices, Inc.(简称ADI)的新…
2020-04-27 15:23:46ADG609是一款单芯片CMOS模拟多路复用器,内置4个差分通道。它根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址,将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入,用来使能或禁用器件。禁用时,所有通道均关断。 ADG609采用增强型LC2 MOS 工艺设计,具有低功耗、…
2020-04-27 15:23:40ADG709是一款低压CMOS模拟多路复用器,内置4个差分通道。它根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址,将4路差分输入之一切换至公共差分输出。该器件提供EN输入,用来使能或禁用器件。禁用时,所有通道均关断。ADG709具有低功耗和1.8 V至5.5 V的工作电压范围,非常适合…
2020-04-27 15:23:32ADG739是一款CMOS、双路4通道模拟矩阵开关,配有一个串行控制的三线式接口。开关之间的导通电阻匹配严格,并且在整个信号范围内,导通电阻曲线非常平坦。 ADG739采用三线式串行接口,并且与SPI™、QSPI™、MICROWIRE™及一些DSP接口标准兼容。利用移位寄存器DOUT的输…
2020-04-27 15:23:24ADG738是一款8通道、3线串行接口控制的CMOS模拟矩阵开关/多路复用器。开关之间的导通电阻严格匹配,并在全信号范围内具有非常好的平坦度。 ADG738采用三线式串行接口,并且与SPI™、QSPI™、MICROWIRE®及一些DSP接口标准兼容。利用输入移位寄存器DOUT的输出,可以…
2020-04-27 15:23:21ADG729是一款CMOS、双路4通道模拟矩阵开关,配有一个串行控制的双线式接口。开关之间的导通电阻匹配严格,并且在整个信号范围内,导通电阻曲线非常平坦。该器件无论用作多路复用器、解复用器还是开关阵列,都同样出色;输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG728和AD…
2020-04-27 15:23:17ADG728是一款CMOS、8通道模拟矩阵开关,配有一个串行控制的双线式接口。开关之间的导通电阻匹配严格,并且在整个信号范围内,导通电阻曲线非常平坦。该器件无论用作多路复用器、解复用器还是开关阵列,都同样出色;输入信号范围可扩展至电源电压范围。ADG728和ADG729…
2020-04-27 15:23:13ADG733是一款低压CMOS器件,内置三个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。该器件具有低功耗特性,采用+1.8 V至+5.5 V单电源/±3 V双电源工作,因而非常适合电池供电的便携式仪表应用。所有通道均采用先开后合式开关,防止开关通道时发生瞬时短路。该器件提供 EN 输入,用…
2020-04-27 15:23:07ADG611、ADG612和ADG613均为单芯片CMOS器件,内置四个独立可选的开关。+25ºC时,这些开关提供1 pC的超低电荷注入和100 pA的泄漏电流。上述器件的额定电源电压为±5 V、5 V和3 V,均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG611与ADG612的唯一不同是数字控制逻辑相反。…
2020-04-27 15:22:46ADG611、ADG612和ADG613均为单芯片CMOS器件,内置四个独立可选的开关。+25ºC时,这些开关提供1 pC的超低电荷注入和100 pA的泄漏电流。上述器件的额定电源电压为±5 V、5 V和3 V,均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG611与ADG612的唯一不同是数字控制逻辑相反。…
2020-04-27 15:22:45ADG658和ADG659均为低压CMOS模拟多路复用器,分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG658根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址,将8路输入(S1–S8)之一切换至公共输出D。ADG659根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址,将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款…
2020-04-27 15:22:41ADG633是一款低压CMOS器件,内置三个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。 额定电源电压为±5 V、5 V和3 V。ADG633开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时,各开关在两个方向的导电性能相同,输入信号范围可扩展至电源电压范围。该器件提供 EN 输入,用来使…
2020-04-27 15:22:36ADG812是一款低压CMOS器件,内置四个独立可选的开关。在整个温度范围内,这些开关具有小于0.8 Ω的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时,数字输入可以处理1.8 V逻辑。这些器件均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG811与ADG812的唯一不同是数字控制逻辑相反…
2020-04-27 15:22:24ADG613-EP是一款单芯片CMOS器件,内置四个独立可选的开关。此开关在整个输入信号范围内具有1 pC的超低电荷注入,25°C时的典型漏电流为0.01 nA。额定电源电压为±5 V、+5 V和3 V。它内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG613-EP内置具有数字控制逻辑的两个开关,逻…
2020-04-27 15:22:24ADG1211 / ADG1212 /ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件,内置四个采用 iCMOS® (工业CMOS)工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺,集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC,并实…
2020-04-27 15:22:19