ADG811单电源模拟开关与多路复用器参数介绍及中文PDF下载
ADG811是一款低压CMOS器件，内置四个独立可选的开关。在整个温度范围内，这些开关具有小于0.8 Ω的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时，数字输入可以处理1.8 V逻辑。这些器件均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG811与ADG812的唯一不同是数字控制逻辑相反…
2020-04-27 15:22:17
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ADG811是一款低压CMOS器件，内置四个独立可选的开关。在整个温度范围内，这些开关具有小于0.8 Ω的超低导通电阻。采用2.7 V至3.6 V电源供电时，数字输入可以处理1.8 V逻辑。这些器件均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG811与ADG812的唯一不同是数字控制逻辑相反…
2020-04-27 15:22:17
ADG1211/ADG1212/ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用iCMOS®（工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往的…
2020-04-27 15:22:16
ADG1211/ ADG1212 / ADG1213均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS® （工业CMOS）工艺设计的独立可选开关。 iCMOS是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现…
2020-04-27 15:22:14
ADG1311/ADG1312/ADG1313均为单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选开关。ADG1311/ADG1312/ADG1313均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1311与ADG1312的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1311开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，而ADG1312则要求…
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ADG1311/ADG1312/ADG1313均为单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选开关。 ADG1311/ADG1312/ADG1313均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1311与ADG1312的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1311开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，…
2020-04-27 15:21:59
ADG1311/ADG1312/ADG1313均为单芯片CMOS器件，内置四个采用CMOS工艺设计的独立可选开关。 ADG1311/ADG1312/ADG1313均内置四个独立的单刀单掷(SPST)开关。ADG1311与ADG1312的唯一不同是数字控制逻辑相反。ADG1311开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，…
2020-04-27 15:21:57
ADG1236是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。它采用iCMOS®工艺设计。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS（互补金属氧化物半导体）与双极性技术于一体。利用这种工艺，可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实…
2020-04-27 15:21:55
ADG1433/ADG1434均为单芯片工业CMOS(iCMOS) 模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。ADG1433（LFCSP和TSSOP封装）和ADG1434（仅LFCSP封装）提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，…
2020-04-27 15:21:49
ADG1233和ADG1234均为单芯片iCMOS®模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷SPDT开关。所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。该器件提供overbar: EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。iCMOS （工业CMOS）是一种模块…
2020-04-27 15:21:44
ADG1308和ADG1309均为单芯片模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1308根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1309根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均…
2020-04-27 15:21:43
ADG1308和ADG1309均为单芯片模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1308根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1309根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均…
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ADG1208和ADG1209均为单芯片 iCMOS®模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1208根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1209根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两…
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ADG1411/ADG1412/ADG1413 是单片互补金属氧化物半导体 (CMOS) 套件，包含四个采用 iCMOS® 工艺设计的可独立选择开关。iCMOS（工业 CMOS）是一种将高电压 CMOS 和双极技术结合在一起的模块化制造工艺。它可促进各种高性能模拟 IC 的开发，这些 IC 能以 33 V 电压在前…
2020-04-27 15:21:36
ADG1411/ADG1412/ADG1413 是单片互补金属氧化物半导体 (CMOS) 套件，包含四个采用 iCMOS® 工艺设计的可独立选择开关。iCMOS（工业 CMOS）是一种将高电压 CMOS 和双极技术结合在一起的模块化制造工艺。它可促进各种高性能模拟 IC 的开发，这些 IC 能以 33 V 电压在前…
2020-04-27 15:21:34
ADG1411/ADG1412/ADG1413均为单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个采用 iCMOS® 工艺设计的独立可选开关。iCMOS（工业CMOS）是一种模块式制造工艺，集高电压CMOS与双极性技术于一体。利用这种工艺,可以开发工作电压达33 V的各种高性能模拟IC，并实现以往…
2020-04-27 15:21:29
ADG1636是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。该器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。…
2020-04-27 15:21:13
ADG1611/ADG1612/ADG1613内置四个独立的单极/单掷(SPST)开关。二者的唯一不同之处就是数字控制逻辑相反。ADG1611开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，而ADG1612开关则要求逻辑1。ADG1613有两个开关的数字控制逻辑与ADG1611相似，但其它两个开关的控制逻辑则相反。…
2020-04-27 15:21:10
ADG1611/ADG1612/ADG1613内置四个独立的单极/单掷(SPST)开关。二者的唯一不同之处就是数字控制逻辑相反。ADG1611开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，而ADG1612开关则要求逻辑1。ADG1613有两个开关的数字控制逻辑与ADG1611相似，但其它两个开关的控制逻辑则相反。…
2020-04-27 15:21:05
ADG1633/ADG1634均为单芯片工业CMOS(iCMOS®) 模拟开关 ， 分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。所有通道均采用先开后合式开关 ， 防止开关通道时发生瞬时短路 。 ADG1633（LFCSP和TSSOP封装）和ADG1634 （仅LFCSP封装）提供EN输入，用来使能或禁…
2020-04-27 15:20:56
ADG1608/ADG1609均为单芯片CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1608根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1609根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件…
2020-04-27 15:20:52周一至周五
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