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所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性

本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外，包括MOSFET在内的SiC功率元
2020-09-18 15:49:43
所谓SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的应用实例

本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-
2020-09-18 15:49:40
所谓SiC-MOSFET－沟槽结构SiC-MOSFET与实际产品

本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程
2020-09-18 15:49:37
所谓SiC-MOSFET－体二极管的特性

上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MO
2020-09-18 15:49:35
与IGBT的区别

上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：V
2020-09-18 15:49:32
所谓SiC-MOSFET－与Si-MOSFET的区别

从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细
2020-09-18 15:49:29
所谓SiC-MOSFET－功率晶体管的结构与特征比较

继前篇内容，继续进行各功率晶体管的比较。本篇比较结构和特征。功率晶体管的结构与特征比较下图是各功率晶体管的结构、耐压、导
2020-09-18 15:49:27
所谓SiC-MOSFET－特征

继前篇结束的SiC-SBD之后，本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应
2020-09-18 15:49:24
STGW100H65FB2-4 - Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pack

The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure. T
2020-09-18 12:16:53
ADI:隔离式栅极驱动器揭秘

IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。
2020-04-26 15:37:42