LTC4282低电压热插拔控制器参数介绍及中文PDF下载
LTC®4282 热插拔 (Hot Swap™) 控制器允许在一块带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。通过采用一个或多个外部 N 沟道传输晶体管，可使电路板电源电压和浪涌电流以一种可调速率斜坡上升。一个 I2C 接口和内置 ADC 实现了电路板电流、电压、功率和故障状态的监视功…
2020-04-27 15:15:27
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LTC®4282 热插拔 (Hot Swap™) 控制器允许在一块带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。通过采用一个或多个外部 N 沟道传输晶体管，可使电路板电源电压和浪涌电流以一种可调速率斜坡上升。一个 I2C 接口和内置 ADC 实现了电路板电流、电压、功率和故障状态的监视功…
2020-04-27 15:15:27
LTC®4281 热插拔控制器允许在一块带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。通过采用一个外部 N 沟道传输晶体管，可使电路板电源电压和浪涌电流以一种可调速率斜坡上升。一个 I2C 接口和内置 ADC 实现了电路板电流、电压、功率、能量和故障状态的监视功能。 该器件具…
2020-04-27 15:15:23
LTC®4380 低静态电流浪涌抑制器可保护负载免遭高压瞬变的损坏。它能够通过对一个外部 N 沟道 MOSFET 的栅极电压进行箝位，以在过压过程中 (例如：汽车应用中的抛负载情况) 把输出电压限制在一个安全数值，从而提供过压保护。固定的栅极箝位电压可针对 12V 和 24V / …
2020-04-27 15:15:21
LTC®4284 负电压热插拔控制器驱动外部N通道MOSFET，以便电路板能在带电背板中安全插入和拔出。双栅极、多模式驱动器可针对各种功率级别优化MOSFET的安全工作区（SOA）。SOA定时器限制MOSFET的温升，以提供可靠的过应力保护。I2C 接口和板载变速器ADC可以监控电路板…
2020-04-27 15:15:12
LTC4283 负电压热插拔控制器驱动一个外部 N 沟道 MOSFET，以允许在带电背板上安全地进行电路板的插拔操作。该器件具有带折返的可编程电流限制和可独立调节的浪涌电流，以优化 MOSFET 安全工作区 (SOA)。SOA 定时器可限制 MOSFET 的温升，以提供可靠的过应力保护。I2C…
2020-04-27 15:15:09
LTC®4412HV 控制一个外部 P 沟道 MOSFET，以造就一种用于电源切换或负载均分的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效 “合路” 操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的电压降通常为 20mV。对于那些采用了一个墙上适配器或其他辅…
2020-04-27 15:14:19
LTC®4354 是一款负电压二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。该器件可替代两个肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。通过采用 N 沟道 MOSFET 作为传输晶体管，极大地降低了功率耗散。可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提…
2020-04-27 15:14:16
LTC®4413 包含两个单片式理想二极管，各能够从 2.5V 至 5.5V 的输入电压提供高达 2.6A。每个理想二极管采用一个 100mΩ P 沟道 MOSFET，用于独立地把 INA 连接至 OUTA，以及将 INB 连接至 OUTB。在标准的正向操作期间，这些二极管两端的电压降均被调节为低至 28mV。…
2020-04-27 15:14:12
LTC®4414 控制一个外部 P 沟道 MOSFET，以造就一种用于电源切换的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效“或”操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的压降通常为 20mV。对于那些采用了一个交流适配器或其它辅助电源的应用，当…
2020-04-27 15:14:09
LTC®4410 可在符合 USB 1.0 和 2.0 标准的便携式设备连接至一个 USB 端口的情况下同时实现其电池充电和运作。当 USB 外设负载增加时，LTC4410 成比例地减小电池充电电流，以保持总电流小于 500mA 或 100mA，这取决于 MODE 引脚的状态。LTC4410 包含一个 USB 接入输…
2020-04-27 15:14:06
LTC®4416 / LTC4416-1 控制两组外部 P 沟道 MOSFET，以造就两种用于电源切换电路的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效“或”操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的电压降通常为 25mV。对于那些采用了一个交流适配器或其它辅…
2020-04-27 15:14:05
LTC®4413-1 和 LTC4413-2 各自包含两个单片式理想二极管，均能够从 2.5V 至 5.5V 的输入电压提供高达 2.6A 的输出电流。理想二极管采用了一个 100mΩ P 沟道 MOSFET，用于独立地把 INA 连接至 OUTA，以及将 INB 连接至 OUTB。在标准的正向操作期间，这些二极管两端…
2020-04-27 15:14:00
LTC®4412 控制一个外部 P 沟道 MOSFET，以造就一种用于电源切换或负载均分的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效 “合路” 操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的压降通常为 20mV。对于那些采用了一个墙上适配器或其他辅助电…
2020-04-27 15:13:58
LTC®4355 是一款正电压理想二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。利用 N 沟道 MOSFET (而不是肖特基二极管) 来形成二极管“或”可降低功耗、减少热耗散和 PC 板面积。 借助 LTC4355 可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。LT…
2020-04-27 15:13:57
LTC®4411是一款能够从一个 2.6V 至 5.5V 的输入电压来提供高达2.6A电流的理想二极管IC。LTC4411采用一种高度仅 1mm 的 5 引脚 SOT-23 封装。 LTC4411内含一个连接在 IN 和 OUT 引脚之间的 140mΩ P 沟道 MOSFET。在正常的正向操作期间，MOSFET 两端的压降被调节到…
2020-04-27 15:13:55
LTC®4357 是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，LTC4357 能够降低功耗、热耗散、电压损失并缩减 PC 板面积。LTC4357 能够很容易地对电源进行“或”操作，以提高总…
2020-04-27 15:13:54
LTC®4352 采用一个外部 N 沟道 MOSFET 产生一个近理想的二极管。它可替代一个高功率肖特基二极管和相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。理想二极管功能实现了低损耗电源 “或” 和电源保持应用。 LTC4352 负责调节 MOSFET 两端的正向电压降，以在二极管 “…
2020-04-27 15:13:52
LTC®4358 是一款 5A 理想二极管，当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，该器件采用一个内部 20mΩ N 沟道 MOSFET 来替代一个肖特基二极管。LTC4358 降低了功耗、减少了热耗散，并压缩了 PC 板面积。 LTC4358 可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整…
2020-04-27 15:13:51
LTC®4229 通过控制两个外部 N 沟道 MOSFET 为一个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap™) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 取代了一个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔MOSFET 控制通过限制浪涌电流而允许在带电背板…
2020-04-27 15:13:50
LTC®4370 是一款内置 MOSFET 理想二极管的双电源均流控制器。这些二极管负责隔离在启动和故障情况下的反向电流和贯通电流。可对其正向电压进行调节以在电源之间共用负载电流。与其他的均流方法不同，该器件不需要在电源上布设共享总线或修整引脚。最大 MOSFET 电压…
2020-04-27 15:13:48周一至周五
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