LTC1473LPowerPath、理想二极管和负载开关参数介绍及中文PDF下载
LT®1473L 可在两个 DC 电源之间提供可靠和高效的开关切换。该器件驱动两组外部背对背 N 沟道 MOSFET 开关，以将功率传送至一个低电压系统的输入。一个内部升压稳压器负责提供电压以全面强化逻辑电平 N 沟道 MOSFET 开关，而一个内部欠压闭锁电路则可在低至 2.8V 的…
2020-04-27 15:14:08
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LT®1473L 可在两个 DC 电源之间提供可靠和高效的开关切换。该器件驱动两组外部背对背 N 沟道 MOSFET 开关，以将功率传送至一个低电压系统的输入。一个内部升压稳压器负责提供电压以全面强化逻辑电平 N 沟道 MOSFET 开关，而一个内部欠压闭锁电路则可在低至 2.8V 的…
2020-04-27 15:14:08
LTC®4410 可在符合 USB 1.0 和 2.0 标准的便携式设备连接至一个 USB 端口的情况下同时实现其电池充电和运作。当 USB 外设负载增加时，LTC4410 成比例地减小电池充电电流，以保持总电流小于 500mA 或 100mA，这取决于 MODE 引脚的状态。LTC4410 包含一个 USB 接入输…
2020-04-27 15:14:06
LTC®4416 / LTC4416-1 控制两组外部 P 沟道 MOSFET，以造就两种用于电源切换电路的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效“或”操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的电压降通常为 25mV。对于那些采用了一个交流适配器或其它辅…
2020-04-27 15:14:05
LTC®4413-1 和 LTC4413-2 各自包含两个单片式理想二极管，均能够从 2.5V 至 5.5V 的输入电压提供高达 2.6A 的输出电流。理想二极管采用了一个 100mΩ P 沟道 MOSFET，用于独立地把 INA 连接至 OUTA，以及将 INB 连接至 OUTB。在标准的正向操作期间，这些二极管两端…
2020-04-27 15:14:00
LTC®4412 控制一个外部 P 沟道 MOSFET，以造就一种用于电源切换或负载均分的近理想型二极管功能。这实现了多个电源的高效 “合路” 操作，旨在延长电池的使用寿命和减少自发热。当导通时，MOSFET 两端的压降通常为 20mV。对于那些采用了一个墙上适配器或其他辅助电…
2020-04-27 15:13:58
LTC®4355 是一款正电压理想二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。利用 N 沟道 MOSFET (而不是肖特基二极管) 来形成二极管“或”可降低功耗、减少热耗散和 PC 板面积。 借助 LTC4355 可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。LT…
2020-04-27 15:13:57
LTC®4411是一款能够从一个 2.6V 至 5.5V 的输入电压来提供高达2.6A电流的理想二极管IC。LTC4411采用一种高度仅 1mm 的 5 引脚 SOT-23 封装。 LTC4411内含一个连接在 IN 和 OUT 引脚之间的 140mΩ P 沟道 MOSFET。在正常的正向操作期间，MOSFET 两端的压降被调节到…
2020-04-27 15:13:55
LTC®4357 是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，LTC4357 能够降低功耗、热耗散、电压损失并缩减 PC 板面积。LTC4357 能够很容易地对电源进行“或”操作，以提高总…
2020-04-27 15:13:54
ADP1196是一款高端或低端负载开关，VIN的设计工作电压范围为0 V至5.5 V，VB_EN电源范围为1.83 V至5.5 V。该器件集成内部电荷泵，可采用VIN或VB_EN为其供电（取较大者）；还集成超低导通电阻的N沟道MOSFET。 该N沟道MOSFET支持2 A以上的连续电流（VIN近似为0 V时），…
2020-04-27 15:13:53
LTC®4352 采用一个外部 N 沟道 MOSFET 产生一个近理想的二极管。它可替代一个高功率肖特基二极管和相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。理想二极管功能实现了低损耗电源 “或” 和电源保持应用。 LTC4352 负责调节 MOSFET 两端的正向电压降，以在二极管 “…
2020-04-27 15:13:52
LTC®4358 是一款 5A 理想二极管，当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，该器件采用一个内部 20mΩ N 沟道 MOSFET 来替代一个肖特基二极管。LTC4358 降低了功耗、减少了热耗散，并压缩了 PC 板面积。 LTC4358 可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整…
2020-04-27 15:13:51
LTC®4229 通过控制两个外部 N 沟道 MOSFET 为一个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap™) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 取代了一个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔MOSFET 控制通过限制浪涌电流而允许在带电背板…
2020-04-27 15:13:50
ADP190为一款高端负载开关，设计的工作电压范围为1.2V至3.6V。该负载开关用作电源隔离，以延长电池寿命。该器件内含一个低导通电阻的P沟道MOSFET，支持大于500mA的连续电流，并具有最低的功耗。该器件具有低至最大2μA的地电流和超低的关断电流，使其成为电池供电的…
2020-04-27 15:13:50
LTC®4370 是一款内置 MOSFET 理想二极管的双电源均流控制器。这些二极管负责隔离在启动和故障情况下的反向电流和贯通电流。可对其正向电压进行调节以在电源之间共用负载电流。与其他的均流方法不同，该器件不需要在电源上布设共享总线或修整引脚。最大 MOSFET 电压…
2020-04-27 15:13:48
ADP195是一款高端负载开关，采用1.1 V至3.6 V电源供电，可防止电流反向从输出端流向输入端。该负载开关可提供电源域隔离，有助于扩大电源域隔离范围。它内置一个低导通电阻P沟道MOSFET，支持500 mA以上的连续电流，功率损耗极小。ADP195具有最大10 μA的低静态电流和…
2020-04-27 15:13:47
LT®4321 是一款双路理想二极管桥控制器，其可使一部以太网供电 (PoE) 受电设备 (PD) 从 RJ-45 数据线对和/或空闲线对接收任一电压极性的电源。LT4321 和 8 个 N 沟道 MOSFET 可替代一个无源 PoE 整流器桥中的 8 个二极管。LT4321 简化了热设计并可增加输送功率。一…
2020-04-27 15:13:46LTC®4359 是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代肖特基二极管。该器件可控制 MOSFET 两端的正向电压降，以确保无振荡的平滑电流传输，即使在轻负载条件下也不例外。如果电源发生故障或短路，则快速关断可最大限度地抑制反向电流瞬…
2020-04-27 15:13:46
ADP1190A是一款带4个信号开关的集成高端负载开关，采用1.4V至3.6V电源供电。同时还提供电源域隔离，以延长电池寿命。 该负载开关为一个低导通电阻P沟道MOSFET，支持最高500 mA的连续负载电流，功率损耗极小。 另外集成4个常开3Ω单刀单掷(SPST)信号开关，由电荷泵进…
2020-04-27 15:13:41
ADP190/ADP191是高端负载开关，设计工作电压范围为1.2 V至3.6 V。这些负载开关提供电源隔离，以延长电池寿命。器件内置一个低导通电阻P沟道MOSFET，支持500 mA以上的连续电流，功率损耗极小。ADP190/ADP191具有最大2 μA的低地电流和超低关断电流，因此非常适合电池…
2020-04-27 15:13:40
LTC®4353 可控制外部 N 沟道 MOSFET 以实现理想二极管功能。该器件可替代两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。理想二极管功能可实现低损耗电源“或”及电源保持应用。LTC4353 可调节 MOSFET 两端的正向电压降，以确保二极管“或”应…
2020-04-27 15:13:39周一至周五
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