LTC4235PowerPath、理想二极管和负载开关参数介绍及中文PDF下载
LTC®4235 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个 12V 电源轨提供理想二极管 “或” 和热插拔功能。起理想二极管作用的 MOSFET 可替代两个高功率肖特基二极管和关联的散热器，从而节省了功率和电路板空间。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流在带电背板上实现了安…
2020-04-27 15:13:39
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LTC®4235 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个 12V 电源轨提供理想二极管 “或” 和热插拔功能。起理想二极管作用的 MOSFET 可替代两个高功率肖特基二极管和关联的散热器，从而节省了功率和电路板空间。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流在带电背板上实现了安…
2020-04-27 15:13:39
LTC®4227 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了“理想二极管或”和热插拔 (Hot SwapTM) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而允许在带…
2020-04-27 15:13:37ADP197是一款高端负载开关，采用1.8 V至5.5 V电源供电。该负载开关可提供电池域隔离，有助于扩大电源域隔离范围。它内置一个低导通电阻N沟道MOSFET，支持3 A以上的连续电流，功率损耗极小。ADP197具有18 μA的低静态电流和超低关断电流，因此非常适合电池供电的便携…
2020-04-27 15:13:37
LTC®4228 通过控制每个电源轨中的两个外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供了理想二极管和热插拔 (Hot Swap™) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 替代了两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和电路板面积。热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流而…
2020-04-27 15:13:36
ADP1290是一款高端负载开关，采用2.3 V至13.2 V电源供电。该负载开关可提供电源域隔离，有助于延长电池工作寿命。 它内置一个低导通电阻N沟道MOSFET，支持2 A以上的连续电流，功率损耗极小。 此外，RDSON恒定，与VIN电压无关。 ADP1290具有15 ƒÊA低静态电流和20 ƒ…
2020-04-27 15:13:35
ADP194是一款高端负载开关，采用1.1 V至3.6 V电源供电，可防止电流反向从输出端流向输入端。该负载开关可提供电源域隔离，有助于延长供电电池的使用寿命。该器件内置一个低导通电阻P沟道MOSFET，支持500 mA以上的连续负载电流，功率损耗极小。ADP194具有最大2 μA的…
2020-04-27 15:13:34
LTC®4417 可根据优先级将三个有效电源之一连接至一个公共输出。优先级由引脚分配来确定，V1 被分配了最高的优先级，而 V3 则为最低的优先级。当某个电源的电压连续处于其过压 (OV) 或欠压 (UV) 窗口之内的时间至少为 256ms 时，此电源就被定义为“有效”。假如优先…
2020-04-27 15:13:33
LTC®4236 通过控制外部 N 沟道 MOSFET 为两个电源轨提供理想二极管 “或” 和热插拔 (Hot Swap) 功能。起理想二极管作用的 MOSFET 可替代两个高功率肖特基二极管和关联的散热器，从而节省了功率和电路板空间。一个热插拔控制 MOSFET 通过限制浪涌电流在带电背板上实…
2020-04-27 15:13:33
LTC®4415 包含两个单片式电源通路 (PowerPath™) 理想二极管，各能提供高达 4A 的电流，并具 50mΩ 的典型正向导通电阻。在低电流条件下，二极管电压降在正向导通期间被调节至 15mV，从而扩大了电源工作范围并确保在电源切换过程中不会产生振荡。从 OUT 流至 IN 的…
2020-04-27 15:13:31
LTC®4371 是一款双输入负电压理想二极管 “或” 控制器，其用于驱动外部 N 沟道MOSFET，可在高功率 -48V 系统中作为肖特基二极管的一种低耗散替代方案。低的功率耗散和电压损失免除了增设散热器的需要，并缩减了 PC 板面积。可以很容易地把电源 “或” 连接在一起，…
2020-04-27 15:13:30
ADP196是一款高端负载开关，采用1.8 V至5.5 V电源供电。该负载开关可提供电源域隔离，有助于延长电池工作寿命。它内置一个低导通电阻N沟道MOSFET，支持3 A以上的连续电流，功率损耗极小。此外， RDSON 恒定，与VIN电压无关。ADP196具有25 μA的低静态电流和超低关断…
2020-04-27 15:13:30
ADP198是一款高端负载开关，采用1.65 V至6.5 V电源供电，可防止电流反向从输出端流向输入端。负载开关可提供电源域隔离，有助于保持子系统隔离和独立供电，从而降低功耗。ADP198内置一个低导通电阻P沟道MOSFET，支持1 A以上的连续负载电流。ADP198具有2.5 μA的低静…
2020-04-27 15:13:27
LTC®4420 是一款具有低工作电流的双输入单片式 PowerPath™ 优先级排序器，可在欠压和电源缺失的情况下为保持关键电路的有效运行提供后备切换。与二极管 “或” 产品不同，该器件从闲置电源吸收的电流极小，即使其电压高于工作电源也不例外。内部 2Ω、电流限制 PMO…
2020-04-27 15:13:27
ADP1190是一款带4个信号开关的集成高端负载开关，采用1.4V至3.6V电源供电。同时还提供电源域隔离，以延长电池寿命。该负载开关为一个低导通电阻P沟道MOSFET，支持最高500 mA的连续负载电流，功率损耗极小。另外集成4个常开两欧姆SPST信号开关。除了出色的工作性能外…
2020-04-27 15:13:27
ADP199是一款高端负载开关，采用 0.9 V至3.6 V 电源供电。负载开关可提供电源域隔离，有助于保持子系统隔离和独立供电，从而降低功耗。ADP199内置一个低导通电阻N沟道MOSFET，功率损耗极小，并支持500 mA以上的连续负载电流。它具有6 μA的低静态电流和超低关断电流…
2020-04-27 15:13:23
LTC®4419 是一款具有低工作电流的双输入单片式 PowerPath™ 优先级排序器，其可在欠压和电源缺失的情况下为保持关键电路的有效运行提供后备切换。与二极管 “或” 产品不同，该器件从闲置电源吸收的电流极小，即使其电压高于工作电源也不例外。内部 2Ω、电流限制 P…
2020-04-27 15:13:23LTC®4418 可根据优先级和有效性把两个有效电源之一连接至一个公共输出。优先级由引脚分配来确定，V1 被分配了较高的优先级，而 V2 则为较低的优先级。当某个电源的电压连续处于其过压 (OV) 和欠压 (UV) 窗口之内的时间至少为配置的验证时间时，该电源就被定义为“有…
2020-04-27 15:13:19
LT®8672 是用于反向输入保护的有源整流器控制器。该器件驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个功率肖特基二极管。其非常低的静态电流和快速瞬态响应可满足存在高达 100kHz AC 输入信号之汽车应用中的严苛要求。对这些信号进行整流时在外部 FET 上产生的功耗极少，…
2020-04-27 15:13:15
LTC4376 是一款 7A 理想二极管，当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，其采用一个内部 15mΩ N 通道 MOSFET 替代一个肖特基二极管。LTC4376 可降低功耗、热耗散和 PC 板面积。LTC4376 控制内部 MOSFET 两端的正向压降，以确保即使在轻负载条件下也能实现平稳…
2020-04-27 15:13:13
LTC4421 可基于用户定义的优先级和有效性将两个输入电源中的一个连接到公共输出。按照定义，连接到 V1 是较高优先级电源，但可以动态更改。外部电阻式分压器可设置限定有效电压窗口的欠压和过压阈值。强大的栅极驱动器可快速切换大型外部 N 通道 MOSFET。快速切换电…
2020-04-27 15:13:09周一至周五
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