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所谓SiC-MOSFET－功率晶体管的结构与特征比较

继前篇内容，继续进行各功率晶体管的比较。本篇比较结构和特征。功率晶体管的结构与特征比较下图是各功率晶体管的结构、耐压、导
2020-09-18 15:49:27
所谓SiC-MOSFET－特征

继前篇结束的SiC-SBD之后，本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应
2020-09-18 15:49:24
所谓SiC-SBD－关于可靠性试验

进行半导体元器件的评估时，电气/机械方面的规格和性能当然是首先要考虑的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以
2020-09-18 15:49:21
所谓SiC-SBD－使用SiC-SBD的优势

关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD
2020-09-18 15:49:18
所谓SiC-SBD－SiC-SBD的发展历程

为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升
2020-09-18 15:49:15
所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较

前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。SiC-SBD和Si-
2020-09-18 15:49:12
所谓SiC-SBD－与Si-PND的反向恢复特性比较

面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的
2020-09-18 15:49:09
所谓SiC-SBD－特征以及与Si二极管的比较

继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒
2020-09-18 15:49:07
什么叫SiC功率器件？SiC SBD

1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右
2020-09-18 15:27:28