所谓SiC-SBD－SiC-SBD的发展历程

为了使大家了解SIC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD的发展，整理一下当前实际上供应的SiC-SBD。

电源IC等通过不同的架构和配置功能比较容易打造出品牌特色，而二极管和晶体管等分立元器件，功能本身是一样的，因此是直接比较几乎共通的特性项目来选型的。此时，提前了解各产品的具体不同之处，有助于缩短设计时间。

SiC-SBD的发展

ROHM的SiC-SBD目前第2代是主流产品，已经实现近50种机型的量产销售。下图是第1代到第3代的正向电压与电流特性（VF vs IF）、以及正向电压与抗浪涌电流特性（VF vs IFSM）比较图。

第2代SiC-SBD通过改善制造工艺，保持了与以往产品同等的漏电流和trr性能，同时将VF降低了约0.15V。因而改善了VF带来的传导损耗。

第3代致力于提高抗浪涌电流特性（IFSM）并改善漏电流（IR）性能，采用了JBS（Junction Barrier Schottky）结构。
JBS结构基本上是对IFSM和IR有效的结构，成功地进一步改善了第2代实现的低VF特性。Tj＝25℃时的代表值相同，Tj＝150℃的条件下VF比第2代降低了0.11V。也就是说，高温条件下的工作更有利了。下面是第2代和第3代SiC-SBD的反向电压VR和反向（漏）电流IR图表，以及改善项目的数值比较表。