SiC肖特基势垒二极管_技术搜索

总结

本文汇总了SiC的物理特性、SiC-SBD（肖特基势垒二极管）、SiC-MOSFET、全SiC功率模块的关键要点作为最后的总结篇。＜前言＞%
2020-09-18 15:50:04
所谓SiC-SBD－关于可靠性试验

进行半导体元器件的评估时，电气/机械方面的规格和性能当然是首先要考虑的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以
2020-09-18 15:49:21
所谓SiC-SBD－使用SiC-SBD的优势

关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD
2020-09-18 15:49:18
所谓SiC-SBD－SiC-SBD的发展历程

为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升
2020-09-18 15:49:15
所谓SiC-SBD－与Si-PND的正向电压比较

前面对SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性进行了比较。下面对二极管最基本的特性–正向电压VF特性的区别进行说明。SiC-SBD和Si-
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所谓SiC-SBD－与Si-PND的反向恢复特性比较

面对SiC-SBD和Si-PND的特征进行了比较。接下来比较SiC-SBD和Si-PND的反向恢复特性。反向恢复特性是二极管、特别是高速型二极管的
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所谓SiC-SBD－特征以及与Si二极管的比较

继SiC功率元器件的概述之后，将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒
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