临界模式PFC : 利用二极管提高效率的例子
在实际的应用电路中，二极管和晶体管因其特性和性能不同而需要区分使用。在电源类应用中区分使用的主要目的是提高效率。本文将介
2020-09-18 15:51:20
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在实际的应用电路中，二极管和晶体管因其特性和性能不同而需要区分使用。在电源类应用中区分使用的主要目的是提高效率。本文将介
2020-09-18 15:51:20
从本文开始将介绍在实际应用电路中二极管和晶体管的特性和性能不同会带来什么样的差异、使用上有什么区分。首先以PFC（功率因数
2020-09-18 15:51:17
在本章中介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。本文将对虽然右侧流程图中没有提及，但在下面项目中有的第]
2020-09-18 15:51:12
在本章中介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。本文将介绍右侧流程图的“⑥确认平均功耗在额定功率范围内”。
2020-09-18 15:51:09
在本章中将介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。本篇将介绍右侧流程图的④确认在使用环境温度下降额的SOA范
2020-09-18 15:51:06
在本章中将介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。本篇将介绍右侧流程图的③确认在SOA（安全工作区）范围内。&
2020-09-18 15:51:04
在本章中将介绍判断所选的晶体管在实际工作中是否适用的方法和步骤。本篇介绍右侧流程图的②确认在绝对最大额定值范围内。①
2020-09-18 15:51:01
从本章开始进入新篇章–“实际工作中的适用性确认”。在电路设计中，通常会基于电路要求，参考技术规格书的规格来选择适合
2020-09-18 15:50:58
本文介绍ROHM命名为“Hybrid MOS”的、同时具备MOSFET和IGBT两者优势的MOSFET。产品位于下图最下方红色框内。同时具备MOSFET和IG
2020-09-18 15:50:49
上一章基于ROHM的SJ-MOSFET产品阵容，以标准AN系列、低噪声EN系列、高速KN系列为例介绍了SJ-MOSFET的特征。本章将以SJ-MOSFET的t
2020-09-18 15:50:47
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位，以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET（
2020-09-18 15:50:44
从本篇开始，介绍近年来MOSFET中的高耐压MOSFET的代表超级结MOSFET。功率晶体管的特征与定位首先来看近年来的主要功率晶体管Si-M
2020-09-18 15:50:41
在上一篇文章中，对SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路的导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行了解说。本文将介绍在SiC MOSFET
2020-09-18 15:50:15
本文将针对上一篇文章中介绍过的SiC MOSFET桥式结构的栅极驱动电路及其导通(Turn-on)/关断( Turn-off)动作进行解说。SiC MOSFET
2020-09-18 15:50:12
在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前
2020-09-18 15:50:09本文汇总了SiC的物理特性、SiC-SBD（肖特基势垒二极管）、SiC-MOSFET、全SiC功率模块的关键要点作为最后的总结篇。＜前言＞%
2020-09-18 15:50:04
本文将介绍使用了全SiC模块的设计和评估支持工具。全SiC模块损耗模拟器ROHM免费提供可用来探讨和选用全SiC模块的损耗模拟器。仅
2020-09-18 15:50:01
作为应用全SiC模块的应用要点，本文将在上一篇文章中提到的缓冲电容器基础上，介绍使用专用栅极驱动器对开关特性的改善情况。全S
2020-09-18 15:49:59
本文将介绍全SiC模块的应用要点—缓冲电容器。在高速开关大电流的电路中，需要添加缓冲电容器。什么是缓冲电容器缓冲电容器
2020-09-18 15:49:56
上一篇文章对全SiC模块栅极驱动的评估事项之一“栅极误导通”进行了介绍。本文将作为“其2”介绍栅极误导通的处理方法。“栅极误
2020-09-18 15:49:53周一至周五
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