È stato presentato questa mattina, alla presenza del Ministro dello Sviluppo Economico Giancarlo Giorgetti, l’accordo
2021-09-01 10:50:43
È stato presentato questa mattina, alla presenza del Ministro dello Sviluppo Economico Giancarlo Giorgetti, l’accordo
2021-09-01 10:50:42
The HMC7810A is a differential input and differential output, broadband linear amplifier, capable of driving a differential indium phosphate (InP) Mach-Zehnder (MZ) modulator for data center interconn
2020-04-27 15:18:01
LT®1308A / LT1308B 是工作于 1V 至 10V 输入电压范围的微功率、固定频率升压型 DC/DC 变换器。它们是 LT1308 的改进型产品，并推荐用于多种新型设计中。LT1308A 能够在轻负载的情况下自动转换至节能的突发方式操作状态，且在无负载条件下的消耗电流仅 140µA。而 L…
2020-04-27 15:07:45
HMC812ALC4是一款吸收式电压可变衰减器(VVA)，工作频率范围为5 - 30 GHz，非常适合必须利用模拟DC控制信号来控制超过30 dB幅度范围的RF信号电平。它集成了由两个模拟电压Vctrl1和Vctrl2控制的分流型衰减器。衰减器要达到最佳线性度性能，首先第一衰减级的Vctrl1在-5V…
2020-04-27 14:30:03
HMC346ALC3B是一款吸收式电压可变衰减器(VVA)，采用符合RoHS标准的无引脚“无铅”SMT表贴陶瓷封装，工作频率范围为DC - 18 GHz。它集成了片内基准电压衰减器，可配合外部运算放大器使用，提供0至-5V的简单单电压衰减控制。该器件非常适合模拟直流控制信号必须在30 dB…
2020-04-27 14:29:49
HMC329ALC3B是一款通用型双平衡混频器，采用无引脚RoHS兼容型SMT封装，可用作24至32 GHz范围内的上变频器或下变频器。 此混频器无需外部元件或匹配电路。 HMC329ALC3B采用经过优化的初始巴伦结构，提供出色的LO至RF及LO至IF抑制性能。 该混频器采用高于+9 dBm的LO驱…
2020-04-27 14:24:21
HMC525ALC4是一款砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器，采用符合RoHS标准的24引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导…
2020-04-27 14:24:20
HMC260ALC3B是一款通用型双平衡、单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装。在10 GHz至26 GHz频率范围内可用作上变频器或下变频器。HMC260ALC3B混频器无需外部元件或匹配电路。 HMC260ALC3B采用经过优化的巴伦结构，提供本振(LO)至射频…
2020-04-27 14:24:15
HMC798ALC4是一款集成LO放大器的24 GHz至34 GHz次谐波(×2) MMIC混频器，采用符合RoHS标准的无铅LCC封装。HMC798ALC4可用作频率范围为24 GHz至34 GHz的上变频器或下变频器。 在24 GHz至30 GHz和30 GHz至34 GHz频率范围内，2 × LO至射频(RF)隔离通常分别为30 dB和36…
2020-04-27 14:23:45
HMC774ALC3B是一款通用型双平衡混频器，采用无铅RoHS兼容型表贴封装，可用作7 GHz至34 GHz范围内的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。HMC774ALC3B采用经过优化的巴伦结构，提供出色的LO至RF及LO至IF隔离性能。该混频器采用>15 dBm的最佳LO驱动电…
2020-04-27 14:23:30
HMC6147ALC5A是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q下变频器，采用无引脚RoHS兼容型SMT封装。 该器件提供13 dB小信号转换增益，具有25 dBc边带抑制。 HMC6147ALC5A采用低噪声放大器来驱动I/Q混频器，LO由X2倍频器驱动。 提供IF1和IF2混频器输入，并且可通过外部90°混合选择所需…
2020-04-27 14:22:49
HMC1048ALC3B是一款通用型单芯片微波集成电路(MMIC)、双平衡混频器，可用作下变频器，中频(IF)端口范围为DC至4 GHz，射频(RF)端口为2.25 GHz至18 GHz。该混频器无需外部元件或匹配电路。 HMC1048ALC3B提供出色的本振(LO)至RF、LO至IF及RF至IF隔离性能。混频器采用的L…
2020-04-27 14:22:30
HMC292ALC3B是一款通用型双平衡单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装，在14 GHz至30 GHz频率范围内可用作上变频器或下变频器。HMC292ALC3B非常适合需要小尺寸，无需直流偏置和稳定IC性能的应用。该混频器可在9 dBm至15 dBm的宽本振(…
2020-04-27 14:17:50
HMC558ALC3B是一款通用型双平衡混频器，采用无引脚RoHS兼容型SMT封装，可用作5.5至14 GHz范围内的上变频器或下变频器。这款混频器采用GaAs MESFET工艺制造，无需外部元件或匹配电路。HMC558ALC3B通过优化的巴伦结构提供出色的LO至RF及LO至IF隔离性能，采用低至+9 dBm…
2020-04-27 14:17:47
HMC520A是一款砷化镓(GaAs)单芯片微波集成电路(MMIC)、同相正交(I/Q)混频器，采用符合RoHS标准的24引脚、陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装。该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。该混频器使用两个标准双平衡混频器单元和一个90°混合器件，均采用GaAs金属半导体场…
2020-04-27 14:17:44
HMC554ALC3B 是一款通用型双平衡混频器，采用符合 RoHS 指令的无引线芯片载体 (LCC) 封装，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管 (MESFET) 工艺制成，不需要外部元件和匹配电路。HMC554ALC3B 采用优化…
2020-04-27 14:17:31
HMC129ALC4是一款通用型双平衡单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装，在4 GHz至8 GHz工作频段内可用作上变频器或下变频器。HMC129ALC4非常适合需要小尺寸，无需直流偏置和稳定IC性能的应用。该混频器可在9 dBm至18 dBm的宽LO驱动输…
2020-04-27 14:17:30
HMC787A是一款通用型双平衡混频器，采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装，可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造，无需外部元件或匹配电路。HMC787A通过优化的巴伦结构提…
2020-04-27 14:17:30
HMC553ALC3B是一款通用型双平衡、砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)混频器，采用符合RoHS标准的无引脚无铅LCC封装。HMC553ALC3B可用作频率范围为6 GHz至14 GHz的上变频器或下变频器。此混频器无需外部元件或匹配电路。HMC553ALC3B采用经过优化的巴伦结构，提供…
2020-04-27 14:17:28周一至周五
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