HMC524AI/Q和镜像抑制混频器参数介绍及中文PDF下载
HMC524ALC3B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q混频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT陶瓷封装。 该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。 低频正交混合器件用于产生100 MHz IF输…
2020-04-27 14:17:20
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HMC524ALC3B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q混频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT陶瓷封装。 该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。 低频正交混合器件用于产生100 MHz IF输…
2020-04-27 14:17:20
HMC908A 是一款紧凑型砷化镓 (GaAs) 微波单片集成电路 (MMIC) 同相/正交 (I/Q) 下变频器，此器件采用符合 RoHS 指令的陶瓷无引线芯片载体。此器件提供 11 dB 的小信号转换增益，噪声指数为 2 dB，100 MHz 时的镜像抑制为 25 dB。HMC908A 在低噪声放大器 (LNA) 之后使…
2020-04-27 14:17:13
HMC642A是一款6位数字移相器芯片，额定频率范围为9 GHz至12.5 GHz，提供360度相位覆盖，LSB为5.625度。 HMC642A在所有相态具有2.5度至3.5度的极低RMS相位误差及±0.25 dB至±0.4 dB的极低插入损耗变化。 此款高精度移相器通过0/5 V的正控制逻辑控制。HMC642A采用紧凑…
2020-04-27 14:14:43
HMC543ALC4B是一款4位数字移相器，额定工作频率范围为8至12 GHz，提供0至360度的相位覆盖，具有22.5度的LSB。HMC543ALC4B在所有相态具有4度的极低RMS相位误差及±0.8 dB的极低插入损耗变化。这种高精度移相器由0/-3V互补逻辑控制，无需固定偏置电压。HMC543ALC4B采用…
2020-04-27 14:14:27
HMC641ALC4是一款宽带反射GaAs pHEMT SP4T开关，采用紧凑型4x4 mm陶瓷封装。 该开关频率范围为DC至20 GHz，具有高隔离、低插入损耗和片内端接隔离端口。 该开关还集成了片内二进制解码电路，将所需逻辑控制线数从四条减至两条。 HMC641ALC4由0/ -5V逻辑控制，具有快…
2020-04-27 14:09:42HMC253A是一款非反射SP8T开关，采用符合RoHS标准的无引脚4 mm x 4 mm SMT陶瓷封装和24引脚QSOP封装，宽带工作频率范围为DC至3.5 GHz。 该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性，使其可采用0/3 V控制电源和5 V电源工作。 该开关上集成了3:8解码器，仅需三个控制线和一…
2020-04-27 14:09:29
HMC641ALP4E是一款通用型、非反射式、单刀四掷(SP4T)开关，采用砷化镓(GaAs)工艺制造。该开关具有高隔离、低插入损耗和片内端接隔离端口。该开关采用−5 V至−3 V负电源电压工作，需要两个负逻辑控制电压。HMC641ALP4E内置片内二进制2:4线路解码器，通过两条逻辑输入…
2020-04-27 14:09:13
HMC547ALC3是一款通用型宽带高隔离非反射GaAs MESFET SPDT开关，采用3x3 mm无引脚陶瓷表贴封装。该开关频率范围为DC至28.0 GHz，在中频段时具有高于40 dB的隔离度和小于2 dB的插入损耗。宽带宽、快速开关和紧凑型尺寸使吸收式SPDT适合军用EW/ECM和测试设备应用。该开…
2020-04-27 14:08:55
HMC392ALC4是一款GaAs MMIC低噪声放大器，工作频率范围为3.5至8.0 GHz。该放大器采用无引脚4x4 mm SMT封装，电源电压为+5V，提供17 dB增益、1.8 dB噪声系数和34.5 dBm IP3。HMC392ALC4可以作为驱动放大器使用，也可以作为低噪声前端使用。隔直RF输入和输出引脚匹配至…
2020-04-26 22:20:38
HMC863ALC4是一款三级GaAs pHEMT MMIC 1/2 W功率放大器，工作频率范围为24至29.5 GHz。HMC863ALC4提供24 dB增益、+28.5 dBm饱和输出功率和22.5% PAE（+5.5V电源）。HMC863ALC4具有高输出IP3，因而非常适合点对点、点对多点无线电系统和VSAT应用。隔直型RF I/O匹配至5…
2020-04-26 22:19:05
高速差分 ADC 驱动器设计指南
2020-04-26 15:13:42周一至周五
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